用万用表R×1 k,Q挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值。29LV400TC-90PFTN如果出现两次及两次以上电阻值较小(几乎为0×kQ)，则该场效应管损坏；如果仅出现一次电阻值较小（一般为数百欧），其余各次测量电阻值均为无穷大，则还需做进一步判断（注意，以上测量方法适用于内部无保护二极管的VMOS管）。以N沟道管为例，可依次做下述测量，以判定管子是否良好。
    ①将万用表置于R×1kQ挡。先将被测VMOS管的栅极G与源极S用镊子短接一下，然后将红表笔接漏极D，黑表笔接源极S，所测阻值应为数千欧。具体操作如图4.2. 17所示。
    ②先用导线短接G与S，将万用表置于RXIC kCI挡，红表笔接S，黑表笔接D，阻值应接近无穷大，否则说明VMOS管内部PN结的反向特性比较差。具体操作参见如图4.2.18所示。

          
    图4. 2.17  测VMOS的RSD    图4.2.18  短接VMOS的G、S测Ros
    ③紧接上述测量，将G与S间短路线去掉，表笔位置不动，将D写G短接一下再脱开，相当于给栅极注入了电荷，此时阻值应大幅度减小，并稳定在某一阻值。此阻值越小，说明跨导值越高，VMOSFET管的性能越好。如果万用表指针向右摆幅很小，说明VMOSFET管的跨导值较小。具体测试操作如图4.2. 19所示。

            
    注意：此步测试时，万用表的电阻挡一定要选用R×10 kfl的高阻挡，这时表内电压较高，阻值变化比较明显。如果使用R×1 kfl或R×100 n挡，会因表内电压较低而不能正常进行测试。
    ④紧接上述操作，表笔不动，电阻值维持在某一数值，用镊子等导电物将G与S短接一下，给栅极放电，万用表指针应立即向左转至无穷大。具体操作如图4.2. 20所示。
    上述测量方法是针对N沟道VMOSFET管而言，若测量P沟道VMOSFET管，则应将两表笔位置调换。