绝缘栅场效应管的检测
发布时间:2013/9/11 20:45:12 访问次数:844
(1)功率型绝缘栅场效应管的检测
功率型绝缘栅场效应管( VMOSFET)具有输入阻抗高，S99GL064A401驱动电流小，耐压高(最高耐压达1 200 V)，工作电流大(1. 5～100 A)．输入功率大(1—250 W),跨导线性好，开关速度快等优点。
判断引脚
①判定栅极G。VMOSFET的栅极G与其余两引脚端是绝缘的。将万用表置于R×1kQ挡，分别测量3个引脚端之间的电阻，如果测得某引脚端与其余两引脚端间的电阻值均为无穷大，且对换表笔测量时阻值仍为无穷大，则证明此引脚端是栅极G。
注意：此种测量法仅对管内无保护二极管的VMOS管适用。
②判定源极S和漏极D。VMOSFET在源一漏极之间有一个PN结，测量PN结正、反向电阻的差异，可准确识别源极S和漏极D。将万用表置于R×1 kfl挡，先用一个表笔将被测VMOS管3个电极短接一下，然后用交换表笔的方法测两次电阻，如果管子是的，必然会测得阻值为一大一小。其中阻值较大的-次测量中，黑表笔所接的为漏极D，红表笔所接的为源极S；而阻值较小的一次测量中，红表笔所接的为漏极D，黑表笔所接的为源极S，被测管为N沟道VMOSFET。若被测管子为P沟道VMOSFET，则所测阻值的大小规律正好相反。
功率型绝缘栅场效应管( VMOSFET)具有输入阻抗高，S99GL064A401驱动电流小，耐压高(最高耐压达1 200 V)，工作电流大(1. 5～100 A)．输入功率大(1—250 W),跨导线性好，开关速度快等优点。
判断引脚
①判定栅极G。VMOSFET的栅极G与其余两引脚端是绝缘的。将万用表置于R×1kQ挡，分别测量3个引脚端之间的电阻，如果测得某引脚端与其余两引脚端间的电阻值均为无穷大，且对换表笔测量时阻值仍为无穷大，则证明此引脚端是栅极G。
注意：此种测量法仅对管内无保护二极管的VMOS管适用。
②判定源极S和漏极D。VMOSFET在源一漏极之间有一个PN结，测量PN结正、反向电阻的差异，可准确识别源极S和漏极D。将万用表置于R×1 kfl挡，先用一个表笔将被测VMOS管3个电极短接一下，然后用交换表笔的方法测两次电阻，如果管子是的，必然会测得阻值为一大一小。其中阻值较大的-次测量中，黑表笔所接的为漏极D，红表笔所接的为源极S；而阻值较小的一次测量中，红表笔所接的为漏极D，黑表笔所接的为源极S，被测管为N沟道VMOSFET。若被测管子为P沟道VMOSFET，则所测阻值的大小规律正好相反。
(1)功率型绝缘栅场效应管的检测
功率型绝缘栅场效应管( VMOSFET)具有输入阻抗高，S99GL064A401驱动电流小，耐压高(最高耐压达1 200 V)，工作电流大(1. 5～100 A)．输入功率大(1—250 W),跨导线性好，开关速度快等优点。
判断引脚
①判定栅极G。VMOSFET的栅极G与其余两引脚端是绝缘的。将万用表置于R×1kQ挡，分别测量3个引脚端之间的电阻，如果测得某引脚端与其余两引脚端间的电阻值均为无穷大，且对换表笔测量时阻值仍为无穷大，则证明此引脚端是栅极G。
注意：此种测量法仅对管内无保护二极管的VMOS管适用。
②判定源极S和漏极D。VMOSFET在源一漏极之间有一个PN结，测量PN结正、反向电阻的差异，可准确识别源极S和漏极D。将万用表置于R×1 kfl挡，先用一个表笔将被测VMOS管3个电极短接一下，然后用交换表笔的方法测两次电阻，如果管子是的，必然会测得阻值为一大一小。其中阻值较大的-次测量中，黑表笔所接的为漏极D，红表笔所接的为源极S；而阻值较小的一次测量中，红表笔所接的为漏极D，黑表笔所接的为源极S，被测管为N沟道VMOSFET。若被测管子为P沟道VMOSFET，则所测阻值的大小规律正好相反。
功率型绝缘栅场效应管( VMOSFET)具有输入阻抗高，S99GL064A401驱动电流小，耐压高(最高耐压达1 200 V)，工作电流大(1. 5～100 A)．输入功率大(1—250 W),跨导线性好，开关速度快等优点。
判断引脚
①判定栅极G。VMOSFET的栅极G与其余两引脚端是绝缘的。将万用表置于R×1kQ挡，分别测量3个引脚端之间的电阻，如果测得某引脚端与其余两引脚端间的电阻值均为无穷大，且对换表笔测量时阻值仍为无穷大，则证明此引脚端是栅极G。
注意：此种测量法仅对管内无保护二极管的VMOS管适用。
②判定源极S和漏极D。VMOSFET在源一漏极之间有一个PN结，测量PN结正、反向电阻的差异，可准确识别源极S和漏极D。将万用表置于R×1 kfl挡，先用一个表笔将被测VMOS管3个电极短接一下，然后用交换表笔的方法测两次电阻，如果管子是的，必然会测得阻值为一大一小。其中阻值较大的-次测量中，黑表笔所接的为漏极D，红表笔所接的为源极S；而阻值较小的一次测量中，红表笔所接的为漏极D，黑表笔所接的为源极S，被测管为N沟道VMOSFET。若被测管子为P沟道VMOSFET，则所测阻值的大小规律正好相反。
相关技术资料- 9-11绝缘栅场效应管的检测
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