结型场效应晶体管(JFET)可以等效为一个扩散电阻，只是其反向偏置的PN结“夹断”(pinch)萁导体介质。图2.26(a)和图2.26(b)表示了反向偏置的衬底阱区和P+阱耗尽区夹断N-阱电阻的情况（即N型沟道JFET），在沟道夹断时会增加其电阻。沟道电阻与沟道长度L成正比，与沟道宽度W、沟道深度（因为随着栅源电压。的增加，沟道不易夹断）、沟道扩散浓度和沟道中多数电荷载流子的迁移率等因素成反比。器件的漏电流是漏源电压VDS与沟道电阻R沟道的比例结果。

            
     JFET是基于漂移机理的器件，其漏电流关系及其fV特性曲线与MOSFET晶体管相似（图2.19）。从工作机理上，两种器件驱动情况的差别在于当栅源电压为零时JFET是导通的，但是MOSFET晶体管通带是关断的。而且JFET有很小的栅极电流（即栅极和沟道PN结的反向饱和电流），而MOS器件是没有的。由于沟道大小取决于沟道和栅极向外扩散的长度（代替了工艺掩模板的光刻分辨率），因此根据摩尔定律，将JFET向MOSFET的尺寸进行压缩是非常困难的。所以，考虑到片上系统( SOC)集成的集成密度越来越高，MOSFET非常流行，而JFET不可能达到这样的效果。但是，由于沟道总是在栅极下面，避免了表面非规则性和缺陷，所以器件有更小的l/f噪声，这在低噪声应用中具有显著的优势。另外，由于JFET电阻可以非常大，设计师经常利用其实现高阻值电阻（即夹断电阻）。
    JFET是典型的具有两个反向偏置PN结的电阻。正因为如此，JFET的电路符号是在源极和漏极之间连接一条实线，表示沟道电阻，箭头指向或者背离顶栅，顶栅通过PN结耗尽型电容耦合到沟道，表示了PN结栅的方向。N型沟道器件有如图2.27(a)所示的箭头指向栅极，两个耗尽型电容连接到栅极和漏极。