晶体二极管的伏安特性是指加在晶体二极管两端的电压和流过晶体二极管的电流之间的关系曲线，ZMM4V3晶体二极管伏安特性通常用来描述晶体二极管的性能。图2-28所示为晶体二极管的伏安特性曲线。
    图2-28  晶体二极管的伏安特性曲线

          
    ●正向特性：在电子电路中，将晶体二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，晶体二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在晶体二极管两端的正向电压很小时，晶体二极管仍然不能导通，流过晶体二极管的正向电流十分微弱。只有肖正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管为0.2~0. 3V，硅管为0.6~0.7V)以后，晶体二极管才能直接导通。导通后晶体二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0. 3V，硅管约为0.7V），称为晶体二极管的“正向压降”。
    ●反向特陛：在电子电路中，晶体二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时晶体二极管中几乎没有电流流过，晶体二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。晶体二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过晶体二极管，称为漏电流。反向电流（漏电流）有两个显著特点：一是受温度影响很大；二是反向电压不超过一定范围时，其电流大小基本不变，即与反向电压大小无关，因此反向电流又称为反向饱和电流。
    ●击穿特性：当晶体二极管两端的反向电压增大到某一数值时，反向电流会急剧增大，晶体二极管将失去单方向导电特性，这种状态晶体二极管被击穿。