集成电路技术的本质优势在于可以将大量电子器件（如电阻）集成到同一块相对电阻较低的硅衬底上（如P型掺杂的硅）。为了实现电隔离，P87C52X2FA需要在器件之间和它们共同的衬底上插入或者制造绝缘介质，在衬底上，将连接一个低阻电源，以使得芯片上所有的二极管反向偏置。那么就形成了一个电阻或者低阻互连线，同时，整个器件和衬底之间也形成了一个平行板电容，如图2.2所示。其整体电容值随着表面积增大（也就是增大W和L）而增大，随着板间间距d的缩小而增大：为每个单位面积的电容值；e为绝缘介质的介电常数，其值为真空介电常数。的忌倍。

              
    与电阻的设计相似，工艺工程师将优化设置极板间间距，将宽度W和长度L用做可变的设计参数，而不是集成电路设计工程师来完成这个工作。但是，针对扩散电阻的情况，绝缘介质来源于电阻与衬底之间的PN结的耗尽层，耗尽层宽度与PN结上的偏置电压密切相关，这将在下面PN结二极管的章节里详细讨论。那么，对电阻和互连线来说，这些电容都是寄生电容，它们的存在会影响电路的性能。另外，如果用导电性能更好的材料，如金属铝、金属化的多晶硅或者高掺杂硅（如N+掺杂硅）等来代替高阻材料，增加表面积，确保器件只有一个或者更少方块电阻来减少器件的阻性分量，从而增强其容性分量，最后得到的器件就可以认为是一个单片的电容了。
    从电路的角度来看，随着极板间距的减小，介电常数的增加（即具有更高的电容率），频率的升高，电容的阻抗会随之减小，而在直流状态下，可以认为电容的阻抗无穷大.
    s为拉普拉斯变挨中与频率等效的参数。因此传输信号中的高频分量会通过电容分流，在这个过程中将损失一部分能量。对电阻来说，这些寄生效应都是不可避免的。类似地，电容中与电阻有关的欧姆压降和功率损耗也是由于寄生效应的影响。