电阻条
发布时间:2013/7/29 19:54:43 访问次数:1875
由于用来制造电阻的材料都经过精心设计(如未金属化的多晶硅、轻掺杂硅等),它们与用作器件之间互连线的电阻(如金属化的多晶硅、金属铝等)完全不同,P82B715TD而且电阻条的端头包含低阻接触区域(图2.1)。此时,相对于设计的电阻条大小,增加有效宽度,减小有效长度,从而减小了这个区域的整体电阻,并且还包含了金属接触,可以得到传统的“狗骨头”结构的电阻图形。工艺工程师将通过优化流程来定义材料的厚度,如调整多晶硅的沉积速率或者扩散杂质原子的退火时间,而集成电路设计工程师都不能控制这些工艺条件。因此集成电路设计工程师通常只需要定义顶层电阻的长(L)和宽(W),而不去定义电阻的厚度(T),这就是集成电路设计工程师仅仅需要知道薄层电阻Rs而不需要了解材料电阻率.0的原因。薄层电阻与材料的本征电阻率间的关系.
由于薄层电阻代表一个方块(W、L相等)材料的电阻值,而不管其面积太小,因此使用非常方便,薄层电阻的符号表示为R。(sheet resistance,也称为方块电阻)。例如,根据图2.1,当忽略接触区的电阻,整体电阻值近似为7个方块模块串联,即7Rs。
由于用来制造电阻的材料都经过精心设计(如未金属化的多晶硅、轻掺杂硅等),它们与用作器件之间互连线的电阻(如金属化的多晶硅、金属铝等)完全不同,P82B715TD而且电阻条的端头包含低阻接触区域(图2.1)。此时,相对于设计的电阻条大小,增加有效宽度,减小有效长度,从而减小了这个区域的整体电阻,并且还包含了金属接触,可以得到传统的“狗骨头”结构的电阻图形。工艺工程师将通过优化流程来定义材料的厚度,如调整多晶硅的沉积速率或者扩散杂质原子的退火时间,而集成电路设计工程师都不能控制这些工艺条件。因此集成电路设计工程师通常只需要定义顶层电阻的长(L)和宽(W),而不去定义电阻的厚度(T),这就是集成电路设计工程师仅仅需要知道薄层电阻Rs而不需要了解材料电阻率.0的原因。薄层电阻与材料的本征电阻率间的关系.
由于薄层电阻代表一个方块(W、L相等)材料的电阻值,而不管其面积太小,因此使用非常方便,薄层电阻的符号表示为R。(sheet resistance,也称为方块电阻)。例如,根据图2.1,当忽略接触区的电阻,整体电阻值近似为7个方块模块串联,即7Rs。