双极型晶体管
发布时间:2013/7/8 20:15:38 访问次数:1493
双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，简写为BJT）是最常PTC250-145见的晶体管。分为NPN和PNP两种类型，可用于放大信号。“晶体管（transistor）”的英文名字是由“转移电阻( transferred resistor)”演化而来的。
通过NPN 3个英文字母，我们可以联想到NPN型晶体管的结构。NPN型管的实际结构确实呈三明治形式，即两个N型材料中间夹有P型材料，N型材料较厚，P型材料非常薄。P型材料为基极( base)，其中一个N型材料构成发射电子的发射极( emitter)，另一个N型材料负责收集电子，因此称作集电极( collector)。
如果我们简单地将集电极接电池的正极，将发射极接电池的负极，则不会有电流流动，因为基极的负电荷排斥电子。如果再给基极加上正电压，使得这些电荷被中和，这时电子就不再被排斥。又由于基极区很薄，受集电极正电荷的强吸引力拉动，电子穿过基极区奔向集电极区，这样就产生了集电极电流。
基极一发射极结（即BE结）现在为一个正向偏置的二极管，因此，应该不会感到。晾讶地得知，晶体管需要有0.7V的基极一发射极压降，以促使电子从发射极传送到集电极。由于基极区如此之薄，集电极的吸引力又是如此之强，那些电子因而只有很小的一部分从基极流出而成为基极电流，所以，集电极电流与基极电流之比很大。晶体管也因此而具有了电流增益。有时这个电流增益被称为口(beta)，但在更多的时候，针对直流的电流增益被称力hFE，针对交流的电流增益被称为玩。对于所有的实际应用，近似有hFE=hfe。晶体管产品在电流增益这项参数上的离散性很大，与此相比，hFE与hfe之间的差别可谓微不足道。[hFE：“办”意为混合模型（hybrid model，即h参数模型——译注），“F”代表正向（forward）电流传送比率，“E”表示发射极( emitter)为共接端。难道你不希望有人向你请教这其中的含义吗？]
双极型晶体管更为重要、可预测的参数是跨导（transconductance）[以前称作互导( mutual conductance)]，即gm，这是指基极一发射极电压变化所引致的集电极电流变化：
如果是电子管，我们将在本书后面看到，我们必须始终在工作点上测量其gm，或通过电子管的特性曲线图求得。对于晶体管，跨导可根据Ebers-Moll方程式确定。
通过NPN 3个英文字母，我们可以联想到NPN型晶体管的结构。NPN型管的实际结构确实呈三明治形式，即两个N型材料中间夹有P型材料，N型材料较厚，P型材料非常薄。P型材料为基极( base)，其中一个N型材料构成发射电子的发射极( emitter)，另一个N型材料负责收集电子，因此称作集电极( collector)。
如果我们简单地将集电极接电池的正极，将发射极接电池的负极，则不会有电流流动，因为基极的负电荷排斥电子。如果再给基极加上正电压，使得这些电荷被中和，这时电子就不再被排斥。又由于基极区很薄，受集电极正电荷的强吸引力拉动，电子穿过基极区奔向集电极区，这样就产生了集电极电流。
基极一发射极结（即BE结）现在为一个正向偏置的二极管，因此，应该不会感到。晾讶地得知，晶体管需要有0.7V的基极一发射极压降，以促使电子从发射极传送到集电极。由于基极区如此之薄，集电极的吸引力又是如此之强，那些电子因而只有很小的一部分从基极流出而成为基极电流，所以，集电极电流与基极电流之比很大。晶体管也因此而具有了电流增益。有时这个电流增益被称为口(beta)，但在更多的时候，针对直流的电流增益被称力hFE，针对交流的电流增益被称为玩。对于所有的实际应用，近似有hFE=hfe。晶体管产品在电流增益这项参数上的离散性很大，与此相比，hFE与hfe之间的差别可谓微不足道。[hFE：“办”意为混合模型（hybrid model，即h参数模型——译注），“F”代表正向（forward）电流传送比率，“E”表示发射极( emitter)为共接端。难道你不希望有人向你请教这其中的含义吗？]
双极型晶体管更为重要、可预测的参数是跨导（transconductance）[以前称作互导( mutual conductance)]，即gm，这是指基极一发射极电压变化所引致的集电极电流变化：
如果是电子管，我们将在本书后面看到，我们必须始终在工作点上测量其gm，或通过电子管的特性曲线图求得。对于晶体管，跨导可根据Ebers-Moll方程式确定。
双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，简写为BJT）是最常PTC250-145见的晶体管。分为NPN和PNP两种类型，可用于放大信号。“晶体管（transistor）”的英文名字是由“转移电阻( transferred resistor)”演化而来的。
通过NPN 3个英文字母，我们可以联想到NPN型晶体管的结构。NPN型管的实际结构确实呈三明治形式，即两个N型材料中间夹有P型材料，N型材料较厚，P型材料非常薄。P型材料为基极( base)，其中一个N型材料构成发射电子的发射极( emitter)，另一个N型材料负责收集电子，因此称作集电极( collector)。
如果我们简单地将集电极接电池的正极，将发射极接电池的负极，则不会有电流流动，因为基极的负电荷排斥电子。如果再给基极加上正电压，使得这些电荷被中和，这时电子就不再被排斥。又由于基极区很薄，受集电极正电荷的强吸引力拉动，电子穿过基极区奔向集电极区，这样就产生了集电极电流。
基极一发射极结（即BE结）现在为一个正向偏置的二极管，因此，应该不会感到。晾讶地得知，晶体管需要有0.7V的基极一发射极压降，以促使电子从发射极传送到集电极。由于基极区如此之薄，集电极的吸引力又是如此之强，那些电子因而只有很小的一部分从基极流出而成为基极电流，所以，集电极电流与基极电流之比很大。晶体管也因此而具有了电流增益。有时这个电流增益被称为口(beta)，但在更多的时候，针对直流的电流增益被称力hFE，针对交流的电流增益被称为玩。对于所有的实际应用，近似有hFE=hfe。晶体管产品在电流增益这项参数上的离散性很大，与此相比，hFE与hfe之间的差别可谓微不足道。[hFE：“办”意为混合模型（hybrid model，即h参数模型——译注），“F”代表正向（forward）电流传送比率，“E”表示发射极( emitter)为共接端。难道你不希望有人向你请教这其中的含义吗？]
双极型晶体管更为重要、可预测的参数是跨导（transconductance）[以前称作互导( mutual conductance)]，即gm，这是指基极一发射极电压变化所引致的集电极电流变化：
如果是电子管，我们将在本书后面看到，我们必须始终在工作点上测量其gm，或通过电子管的特性曲线图求得。对于晶体管，跨导可根据Ebers-Moll方程式确定。
通过NPN 3个英文字母，我们可以联想到NPN型晶体管的结构。NPN型管的实际结构确实呈三明治形式，即两个N型材料中间夹有P型材料，N型材料较厚，P型材料非常薄。P型材料为基极( base)，其中一个N型材料构成发射电子的发射极( emitter)，另一个N型材料负责收集电子，因此称作集电极( collector)。
如果我们简单地将集电极接电池的正极，将发射极接电池的负极，则不会有电流流动，因为基极的负电荷排斥电子。如果再给基极加上正电压，使得这些电荷被中和，这时电子就不再被排斥。又由于基极区很薄，受集电极正电荷的强吸引力拉动，电子穿过基极区奔向集电极区，这样就产生了集电极电流。
基极一发射极结（即BE结）现在为一个正向偏置的二极管，因此，应该不会感到。晾讶地得知，晶体管需要有0.7V的基极一发射极压降，以促使电子从发射极传送到集电极。由于基极区如此之薄，集电极的吸引力又是如此之强，那些电子因而只有很小的一部分从基极流出而成为基极电流，所以，集电极电流与基极电流之比很大。晶体管也因此而具有了电流增益。有时这个电流增益被称为口(beta)，但在更多的时候，针对直流的电流增益被称力hFE，针对交流的电流增益被称为玩。对于所有的实际应用，近似有hFE=hfe。晶体管产品在电流增益这项参数上的离散性很大，与此相比，hFE与hfe之间的差别可谓微不足道。[hFE：“办”意为混合模型（hybrid model，即h参数模型——译注），“F”代表正向（forward）电流传送比率，“E”表示发射极( emitter)为共接端。难道你不希望有人向你请教这其中的含义吗？]
双极型晶体管更为重要、可预测的参数是跨导（transconductance）[以前称作互导( mutual conductance)]，即gm，这是指基极一发射极电压变化所引致的集电极电流变化：
如果是电子管，我们将在本书后面看到，我们必须始终在工作点上测量其gm，或通过电子管的特性曲线图求得。对于晶体管，跨导可根据Ebers-Moll方程式确定。
相关技术资料- 7-8双极型晶体管
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- PTC250-145
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