电压基准
发布时间:2013/7/8 20:11:45 访问次数:1059
二极管的反向击穿电压取决于二极管1N4004的物理构造。而二极管结的正向压降，可由Ebers-Moll方程式（一种晶体管等效模型方程式——译注）计得，此公式包含了绝对温度和电流两项因素。这乜意味着，我们除了可将二极管用于整流之外，还可以用作电压基准( voltage reference)。
电压基准的一个重要参数是斜率电阻( slope resistance)（译注：相当于内阻）。电压基准正常工作时，斜率电阻等于等效电路的戴维南电阻。不能因此推论，应该为二极管选用很大的工作电流。而只是要求在设置于线性工作区内的同时，应设法令其电流变动较小，以便获得较小的压降变化。
基于二极管正向压降的电压基准称为带隙( band-gap)器件，而基于反向击穿电压的则称为齐纳( Zener)二极管。
为避免损坏，所有的电压基准应该对流过的电流加以限制，采用恒流源方式则较为理想。
通常供应的齐纳二极管，额定功率可上至75W，最常见的规格为400rnW。额定电压为2.7～270V。二极管结被反向偏置后，比正向偏置时产生更多的噪声，因此，齐纳管的噪声比带隙器件大。实际上，真正的齐纳管工作电压小于等于SV，如果“齐纳”管的额定电压大于等于5V，则表明它利用了雪崩效应(avalancheeffect)。6.2V的齐纳管恰好利用了齐纳效应与雪崩效应的相互抵消，温度系数几乎为零，而斜率电阻也得以降低。当齐纳管的额定电压高于6V时，斜率电阻逐渐上升。当齐纳管的额定电压低于6V，斜率电阻急剧上升。而工作于SmA时，6.2V齐纳二极管的斜率电阻典型值约为10Q。
带隙基准通常是以复杂的集成电路形式出现，常见的输出电压为1.2V，但通过内部的放大器，可将输出电压提升到10V或更高。因为内部电路复杂，带隙基准器件的售价往往比齐纳管高。有时候，我们可能需要用到成本低的低噪声基准。发光二极管（Light Emitting Diode，简写为LED）以及以正向偏置方式工作的小信号二极管，因为噪声相对较小、价钱也较低，可供我们选用。
带隙基准内部常配有放大器，因此其输出电阻降低了很多，典型值约为0.2Q或更小。
电压基准的一个重要参数是斜率电阻( slope resistance)（译注：相当于内阻）。电压基准正常工作时，斜率电阻等于等效电路的戴维南电阻。不能因此推论，应该为二极管选用很大的工作电流。而只是要求在设置于线性工作区内的同时，应设法令其电流变动较小，以便获得较小的压降变化。
基于二极管正向压降的电压基准称为带隙( band-gap)器件，而基于反向击穿电压的则称为齐纳( Zener)二极管。
为避免损坏，所有的电压基准应该对流过的电流加以限制，采用恒流源方式则较为理想。
通常供应的齐纳二极管，额定功率可上至75W，最常见的规格为400rnW。额定电压为2.7～270V。二极管结被反向偏置后，比正向偏置时产生更多的噪声，因此，齐纳管的噪声比带隙器件大。实际上，真正的齐纳管工作电压小于等于SV，如果“齐纳”管的额定电压大于等于5V，则表明它利用了雪崩效应(avalancheeffect)。6.2V的齐纳管恰好利用了齐纳效应与雪崩效应的相互抵消，温度系数几乎为零，而斜率电阻也得以降低。当齐纳管的额定电压高于6V时，斜率电阻逐渐上升。当齐纳管的额定电压低于6V，斜率电阻急剧上升。而工作于SmA时，6.2V齐纳二极管的斜率电阻典型值约为10Q。
带隙基准通常是以复杂的集成电路形式出现，常见的输出电压为1.2V，但通过内部的放大器，可将输出电压提升到10V或更高。因为内部电路复杂，带隙基准器件的售价往往比齐纳管高。有时候，我们可能需要用到成本低的低噪声基准。发光二极管（Light Emitting Diode，简写为LED）以及以正向偏置方式工作的小信号二极管，因为噪声相对较小、价钱也较低，可供我们选用。
带隙基准内部常配有放大器，因此其输出电阻降低了很多，典型值约为0.2Q或更小。
二极管的反向击穿电压取决于二极管1N4004的物理构造。而二极管结的正向压降，可由Ebers-Moll方程式（一种晶体管等效模型方程式——译注）计得，此公式包含了绝对温度和电流两项因素。这乜意味着，我们除了可将二极管用于整流之外，还可以用作电压基准( voltage reference)。
电压基准的一个重要参数是斜率电阻( slope resistance)（译注：相当于内阻）。电压基准正常工作时，斜率电阻等于等效电路的戴维南电阻。不能因此推论，应该为二极管选用很大的工作电流。而只是要求在设置于线性工作区内的同时，应设法令其电流变动较小，以便获得较小的压降变化。
基于二极管正向压降的电压基准称为带隙( band-gap)器件，而基于反向击穿电压的则称为齐纳( Zener)二极管。
为避免损坏，所有的电压基准应该对流过的电流加以限制，采用恒流源方式则较为理想。
通常供应的齐纳二极管，额定功率可上至75W，最常见的规格为400rnW。额定电压为2.7～270V。二极管结被反向偏置后，比正向偏置时产生更多的噪声，因此，齐纳管的噪声比带隙器件大。实际上，真正的齐纳管工作电压小于等于SV，如果“齐纳”管的额定电压大于等于5V，则表明它利用了雪崩效应(avalancheeffect)。6.2V的齐纳管恰好利用了齐纳效应与雪崩效应的相互抵消，温度系数几乎为零，而斜率电阻也得以降低。当齐纳管的额定电压高于6V时，斜率电阻逐渐上升。当齐纳管的额定电压低于6V，斜率电阻急剧上升。而工作于SmA时，6.2V齐纳二极管的斜率电阻典型值约为10Q。
带隙基准通常是以复杂的集成电路形式出现，常见的输出电压为1.2V，但通过内部的放大器，可将输出电压提升到10V或更高。因为内部电路复杂，带隙基准器件的售价往往比齐纳管高。有时候，我们可能需要用到成本低的低噪声基准。发光二极管（Light Emitting Diode，简写为LED）以及以正向偏置方式工作的小信号二极管，因为噪声相对较小、价钱也较低，可供我们选用。
带隙基准内部常配有放大器，因此其输出电阻降低了很多，典型值约为0.2Q或更小。
电压基准的一个重要参数是斜率电阻( slope resistance)（译注：相当于内阻）。电压基准正常工作时，斜率电阻等于等效电路的戴维南电阻。不能因此推论，应该为二极管选用很大的工作电流。而只是要求在设置于线性工作区内的同时，应设法令其电流变动较小，以便获得较小的压降变化。
基于二极管正向压降的电压基准称为带隙( band-gap)器件，而基于反向击穿电压的则称为齐纳( Zener)二极管。
为避免损坏，所有的电压基准应该对流过的电流加以限制，采用恒流源方式则较为理想。
通常供应的齐纳二极管，额定功率可上至75W，最常见的规格为400rnW。额定电压为2.7～270V。二极管结被反向偏置后，比正向偏置时产生更多的噪声，因此，齐纳管的噪声比带隙器件大。实际上，真正的齐纳管工作电压小于等于SV，如果“齐纳”管的额定电压大于等于5V，则表明它利用了雪崩效应(avalancheeffect)。6.2V的齐纳管恰好利用了齐纳效应与雪崩效应的相互抵消，温度系数几乎为零，而斜率电阻也得以降低。当齐纳管的额定电压高于6V时，斜率电阻逐渐上升。当齐纳管的额定电压低于6V，斜率电阻急剧上升。而工作于SmA时，6.2V齐纳二极管的斜率电阻典型值约为10Q。
带隙基准通常是以复杂的集成电路形式出现，常见的输出电压为1.2V，但通过内部的放大器，可将输出电压提升到10V或更高。因为内部电路复杂，带隙基准器件的售价往往比齐纳管高。有时候，我们可能需要用到成本低的低噪声基准。发光二极管（Light Emitting Diode，简写为LED）以及以正向偏置方式工作的小信号二极管，因为噪声相对较小、价钱也较低，可供我们选用。
带隙基准内部常配有放大器，因此其输出电阻降低了很多，典型值约为0.2Q或更小。
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