图2-68所示是发射极接有高NRSD-5V频旁路电容的电路。由于输入端耦合电容Cl容量为10UF，所以VT1构成音频放大器，若VT1发射极电阻上接有一只容量较小的旁路电容C2( lyF)，C2就是发射极高频旁路电容。
    图2-68发射极接有高频旁路电容的电路

          
    1．音频电路
    如果这一电路是音频放大器，由于C2容量比较小（lyF），低音频和中音频信号的系统远大于电阻R2的阻值，这样，C2相当于开路，此时，中、低音频信号因C2容抗很大而流过R2，所以R2对直流和中、低音频信号都有负反馈作用。
    2．音频信号中的高音频信号
    对于高音频信号而言，C2容抗比较小，C2构成了VT1发射极的高音频信号电流通路，起到高音频旁路的作用，所以R2没有高音频负反馈作用。
    这样，放大器对高音频信号的负反馈量较小，对高音频信号的放大倍数大于对低音频和中音频信号的放大倍数，这样的电路称为高音频补偿电路。
    像C2这样只让音频信号中的高音频信号流过的电容称为高音频旁路电容。
    3．高频电路
   如果VT1构成的是高频放大器（电路中的输入端耦合电容容量减小到几百皮法），其工作频率运高于音频信号频率，C2容量虽然只有lyF，但是容抗已经很小，远小于发射极负反馈电阻R2，足以使所有的高频信号通过C2到地。
    加入了C2之后，R2没有高频信号负反馈作用，只存在直流负反馈。