功率MOSFET主要参数
发布时间:2013/5/27 20:55:39 访问次数:2640
1．通态电阻Ron
通态电阻Ron是与输出特性密切E6C2-CWZ6C相关的参数，是指在确定的栅源电压Uos下，功率MOSFET由可调电阻区进入饱和区时的集射极间的直流电阻。它是影响最大输出功率的重要参数。在开关电路中它决定了输出电压幅度和自身损耗大小。
在相同的条件下，耐压等级愈高的器件，其通态电阻愈大，且器件的通态压降愈大。这也是功率MOSFET电压难以提高的原因之一。
由于功率MOSFET的通态电阻具有正电阻温度系数，当电流增大时，附加发热使R。增大，对电流的增加有抑制作用。
2．开启电压UG。油）
开启电压UG。(th)为转移特性曲线与横坐标交点处的电压值，又称阀值电压。在实际应用中，通常将漏栅短接条件下b等于ImA时的栅极电压定义为开启电压UG，它随结温升高而下降，具有负的温度系数。
3．跨导g。
为转移特性的斜率，单位为西门子(S)g。表示功率MOSFET的放大能力，故跨导g的作用与GTR中电流增益相似。
4．漏源击穿电压BUDS
漏源击穿电压BUD。决定了功率MOSFET的最高工作电压，它是为了避免器件进入雪崩区而设的极限参数。BUD。主要取决于漏区外延层的电阻率、厚度及其均匀性。由于电阻率随温度不同而变化，因此当结温升高，BUD。随之增大，耐压提高。这与双极型器件如GTR和晶闸管等随结温升高耐压降低的特性恰好相反。
5．栅源击穿电压BUos
栅源击穿电压BUo。是为了防止绝缘栅层因栅漏电压过高而发生介电击穿而设定的参数。一般栅源电压的板限值为±20V。
6．最大功耗PDM
功率MOSFET最大功耗为
由上式可见，器件的最大耗散功率与管壳温度有关。在墨M和Rrj。为定值的条件下，PDM将随Tc的增高而下降，因此，器件在使用中散热条件是十分重要的。
7．漏极连续电流毛和漏极峰值电流/DM
漏极连续电流乇和漏极峰值电流/DM表征功率MOSFET的电流容量，它们主要受结温的限制。功率MOSFET允许的漏极连续电流。
实际上功率MOSFET的漏极连续电流毛通常没有直接的用处，仅是作为一个基准。这是因为许多实际应用的MOSFET是工作在开关状态中，因此在非直流或脉冲工作情况，其最大漏极电流由额定峰值电流/DM定义。只要不超过额定结温，峰值电流/DM可以超过连续电流。在25℃时，大多数功率MOSFET的/DM大约是连续电流额定值的2～4倍。
此外值得注意的是：随着结温互升高，实际允许的/和/DM均会下降。如型号为IRF330的功率MOSFET，当Tc =25℃时，%力5.5A，当Tc =100℃时，毛为3.3A。所以在选择器件时必须根据实际工作情况考虑裕量，防止器件在温度升高时，漏极电流降低而损坏。
通态电阻Ron是与输出特性密切E6C2-CWZ6C相关的参数，是指在确定的栅源电压Uos下，功率MOSFET由可调电阻区进入饱和区时的集射极间的直流电阻。它是影响最大输出功率的重要参数。在开关电路中它决定了输出电压幅度和自身损耗大小。
在相同的条件下，耐压等级愈高的器件，其通态电阻愈大，且器件的通态压降愈大。这也是功率MOSFET电压难以提高的原因之一。
由于功率MOSFET的通态电阻具有正电阻温度系数，当电流增大时，附加发热使R。增大，对电流的增加有抑制作用。
2．开启电压UG。油）
开启电压UG。(th)为转移特性曲线与横坐标交点处的电压值，又称阀值电压。在实际应用中，通常将漏栅短接条件下b等于ImA时的栅极电压定义为开启电压UG，它随结温升高而下降，具有负的温度系数。
3．跨导g。
为转移特性的斜率，单位为西门子(S)g。表示功率MOSFET的放大能力，故跨导g的作用与GTR中电流增益相似。
4．漏源击穿电压BUDS
漏源击穿电压BUD。决定了功率MOSFET的最高工作电压，它是为了避免器件进入雪崩区而设的极限参数。BUD。主要取决于漏区外延层的电阻率、厚度及其均匀性。由于电阻率随温度不同而变化，因此当结温升高，BUD。随之增大，耐压提高。这与双极型器件如GTR和晶闸管等随结温升高耐压降低的特性恰好相反。
5．栅源击穿电压BUos
栅源击穿电压BUo。是为了防止绝缘栅层因栅漏电压过高而发生介电击穿而设定的参数。一般栅源电压的板限值为±20V。
6．最大功耗PDM
功率MOSFET最大功耗为
由上式可见，器件的最大耗散功率与管壳温度有关。在墨M和Rrj。为定值的条件下，PDM将随Tc的增高而下降，因此，器件在使用中散热条件是十分重要的。
7．漏极连续电流毛和漏极峰值电流/DM
漏极连续电流乇和漏极峰值电流/DM表征功率MOSFET的电流容量，它们主要受结温的限制。功率MOSFET允许的漏极连续电流。
实际上功率MOSFET的漏极连续电流毛通常没有直接的用处，仅是作为一个基准。这是因为许多实际应用的MOSFET是工作在开关状态中，因此在非直流或脉冲工作情况，其最大漏极电流由额定峰值电流/DM定义。只要不超过额定结温，峰值电流/DM可以超过连续电流。在25℃时，大多数功率MOSFET的/DM大约是连续电流额定值的2～4倍。
此外值得注意的是：随着结温互升高，实际允许的/和/DM均会下降。如型号为IRF330的功率MOSFET，当Tc =25℃时，%力5.5A，当Tc =100℃时，毛为3.3A。所以在选择器件时必须根据实际工作情况考虑裕量，防止器件在温度升高时，漏极电流降低而损坏。
1．通态电阻Ron
通态电阻Ron是与输出特性密切E6C2-CWZ6C相关的参数，是指在确定的栅源电压Uos下，功率MOSFET由可调电阻区进入饱和区时的集射极间的直流电阻。它是影响最大输出功率的重要参数。在开关电路中它决定了输出电压幅度和自身损耗大小。
在相同的条件下，耐压等级愈高的器件，其通态电阻愈大，且器件的通态压降愈大。这也是功率MOSFET电压难以提高的原因之一。
由于功率MOSFET的通态电阻具有正电阻温度系数，当电流增大时，附加发热使R。增大，对电流的增加有抑制作用。
2．开启电压UG。油）
开启电压UG。(th)为转移特性曲线与横坐标交点处的电压值，又称阀值电压。在实际应用中，通常将漏栅短接条件下b等于ImA时的栅极电压定义为开启电压UG，它随结温升高而下降，具有负的温度系数。
3．跨导g。
为转移特性的斜率，单位为西门子(S)g。表示功率MOSFET的放大能力，故跨导g的作用与GTR中电流增益相似。
4．漏源击穿电压BUDS
漏源击穿电压BUD。决定了功率MOSFET的最高工作电压，它是为了避免器件进入雪崩区而设的极限参数。BUD。主要取决于漏区外延层的电阻率、厚度及其均匀性。由于电阻率随温度不同而变化，因此当结温升高，BUD。随之增大，耐压提高。这与双极型器件如GTR和晶闸管等随结温升高耐压降低的特性恰好相反。
5．栅源击穿电压BUos
栅源击穿电压BUo。是为了防止绝缘栅层因栅漏电压过高而发生介电击穿而设定的参数。一般栅源电压的板限值为±20V。
6．最大功耗PDM
功率MOSFET最大功耗为
由上式可见，器件的最大耗散功率与管壳温度有关。在墨M和Rrj。为定值的条件下，PDM将随Tc的增高而下降，因此，器件在使用中散热条件是十分重要的。
7．漏极连续电流毛和漏极峰值电流/DM
漏极连续电流乇和漏极峰值电流/DM表征功率MOSFET的电流容量，它们主要受结温的限制。功率MOSFET允许的漏极连续电流。
实际上功率MOSFET的漏极连续电流毛通常没有直接的用处，仅是作为一个基准。这是因为许多实际应用的MOSFET是工作在开关状态中，因此在非直流或脉冲工作情况，其最大漏极电流由额定峰值电流/DM定义。只要不超过额定结温，峰值电流/DM可以超过连续电流。在25℃时，大多数功率MOSFET的/DM大约是连续电流额定值的2～4倍。
此外值得注意的是：随着结温互升高，实际允许的/和/DM均会下降。如型号为IRF330的功率MOSFET，当Tc =25℃时，%力5.5A，当Tc =100℃时，毛为3.3A。所以在选择器件时必须根据实际工作情况考虑裕量，防止器件在温度升高时，漏极电流降低而损坏。
通态电阻Ron是与输出特性密切E6C2-CWZ6C相关的参数，是指在确定的栅源电压Uos下，功率MOSFET由可调电阻区进入饱和区时的集射极间的直流电阻。它是影响最大输出功率的重要参数。在开关电路中它决定了输出电压幅度和自身损耗大小。
在相同的条件下，耐压等级愈高的器件，其通态电阻愈大，且器件的通态压降愈大。这也是功率MOSFET电压难以提高的原因之一。
由于功率MOSFET的通态电阻具有正电阻温度系数，当电流增大时，附加发热使R。增大，对电流的增加有抑制作用。
2．开启电压UG。油）
开启电压UG。(th)为转移特性曲线与横坐标交点处的电压值，又称阀值电压。在实际应用中，通常将漏栅短接条件下b等于ImA时的栅极电压定义为开启电压UG，它随结温升高而下降，具有负的温度系数。
3．跨导g。
为转移特性的斜率，单位为西门子(S)g。表示功率MOSFET的放大能力，故跨导g的作用与GTR中电流增益相似。
4．漏源击穿电压BUDS
漏源击穿电压BUD。决定了功率MOSFET的最高工作电压，它是为了避免器件进入雪崩区而设的极限参数。BUD。主要取决于漏区外延层的电阻率、厚度及其均匀性。由于电阻率随温度不同而变化，因此当结温升高，BUD。随之增大，耐压提高。这与双极型器件如GTR和晶闸管等随结温升高耐压降低的特性恰好相反。
5．栅源击穿电压BUos
栅源击穿电压BUo。是为了防止绝缘栅层因栅漏电压过高而发生介电击穿而设定的参数。一般栅源电压的板限值为±20V。
6．最大功耗PDM
功率MOSFET最大功耗为
由上式可见，器件的最大耗散功率与管壳温度有关。在墨M和Rrj。为定值的条件下，PDM将随Tc的增高而下降，因此，器件在使用中散热条件是十分重要的。
7．漏极连续电流毛和漏极峰值电流/DM
漏极连续电流乇和漏极峰值电流/DM表征功率MOSFET的电流容量，它们主要受结温的限制。功率MOSFET允许的漏极连续电流。
实际上功率MOSFET的漏极连续电流毛通常没有直接的用处，仅是作为一个基准。这是因为许多实际应用的MOSFET是工作在开关状态中，因此在非直流或脉冲工作情况，其最大漏极电流由额定峰值电流/DM定义。只要不超过额定结温，峰值电流/DM可以超过连续电流。在25℃时，大多数功率MOSFET的/DM大约是连续电流额定值的2～4倍。
此外值得注意的是：随着结温互升高，实际允许的/和/DM均会下降。如型号为IRF330的功率MOSFET，当Tc =25℃时，%力5.5A，当Tc =100℃时，毛为3.3A。所以在选择器件时必须根据实际工作情况考虑裕量，防止器件在温度升高时，漏极电流降低而损坏。
相关技术资料- 5-27功率MOSFET主要参数
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