(1) IR2125芯片驱动电路。
    IR2125是一种单片高压高速单通E6CP-AG5C道功率MOSFET驱动器，它包括输入／输出逻辑、保护电路、电平移位电路、输出驱动和自举电源等部分。
    图8-9光耦合器的隔离驱动电路

          
    (a)标准光耦合电路；(b)改进的光耦合电路
    图8-10所示为IR2125的典型驱动电路。其浮置电压是通过一个自举电路从固定电源来的。图中的充电二极管VD1的耐压必须大于高压直流母线上的尖峰电压，为防止自举电容C3放电，必须使用快恢复二极管。自举电容C3的大小与开关频率、占空比和被驱动功率MOSFET的栅极电荷要求有关，电容C3上的电压降不能低于欠压锁定门限。
    Vcc的旁路电容Cl和C2应能为自举电源提供足够的瞬态电流。Cl和C2的值一般取自举载电容C3值的10倍左右。
    (2) IR2130芯片驱动电路。
    IR2130可直接驱动中小容量的功率MOSFET。它有6路输入信号和输出信号，其中6路输出信号中的三路具有电平转换功能，因而IR2130芯片驱动电路既能驱动桥式电路中低压侧的功率器件，又能驱动高压侧的功率元件。也就是说，该驱动器可共地运行，且只需一路控制电源，而常规的驱动系统通常包括光电隔离器件或者脉冲变压器，同时还必须向驱动电路提供相应的隔离电源。

          
    图8-11所示为IR2130茌直流永磁无刷电机控制系统中的应用电路。UC3625为无刷直流电机控制器，其Hl、H2、H3为转子位置检测输入端，其输出端的信号经电平变换后送至IR2130输入端，再经三相桥式逆变电路后驱动电机，实现转速或转矩调节。