PN结的电容特性
发布时间:2013/5/19 14:53:53 访问次数:1199
PN结的电容特性
PN结的电容效应由两CJ1W-DRM21方面的因素决定。一是势垒电容CB，二是扩散电容CD。
(1)势垒电容CB。
势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上的压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当于PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电过程。
(2)扩散电容CD。
扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。当PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在P区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线；反之，由P区扩散到N区的空穴，在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。当外加正向电压不同．扩散电流即外电路电流的大小也就不同，所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这也相当于电容的充放电过程。
PN结的电容效应由两CJ1W-DRM21方面的因素决定。一是势垒电容CB，二是扩散电容CD。
(1)势垒电容CB。
势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上的压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当于PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电过程。
(2)扩散电容CD。
扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。当PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在P区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线；反之，由P区扩散到N区的空穴，在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。当外加正向电压不同．扩散电流即外电路电流的大小也就不同，所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这也相当于电容的充放电过程。
PN结的电容特性
PN结的电容效应由两CJ1W-DRM21方面的因素决定。一是势垒电容CB，二是扩散电容CD。
(1)势垒电容CB。
势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上的压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当于PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电过程。
(2)扩散电容CD。
扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。当PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在P区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线；反之，由P区扩散到N区的空穴，在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。当外加正向电压不同．扩散电流即外电路电流的大小也就不同，所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这也相当于电容的充放电过程。
PN结的电容效应由两CJ1W-DRM21方面的因素决定。一是势垒电容CB，二是扩散电容CD。
(1)势垒电容CB。
势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上的压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当于PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电过程。
(2)扩散电容CD。
扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。当PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在P区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线；反之，由P区扩散到N区的空穴，在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。当外加正向电压不同．扩散电流即外电路电流的大小也就不同，所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这也相当于电容的充放电过程。
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