图11-5所示是N沟道绝缘栅场效12-21C/BHC-YL1M2HY/2Y应管结构示意图。在两个N型区之间再形成一个N型硅薄层，于是形成N型沟道。在N沟道上面加一层绝缘材料二氧化硅，在绝缘层上面加一个铝层电极，作为栅极G。
    图11-5 N沟道绝缘栅场效应管结构示意图

            
    在G、S极之间加一个电压，那么G极铝层与P型衬底之间如同是以绝缘层为介质的平行板电容器。改变G、S极之间的电压大小，可以改变N型沟道的电阻。
    G、S极之间电压增大时，N型导电沟道变厚，沟道电阻减小，在相同的D、S极电压下流过沟道的电流便增大。G、S极之间电压减小时，N型导电沟道变薄，沟道电阻增大，流过沟道的电流便减小。改变G、S极之间电压大小，可控制流过沟道的电流大小，即控制漏极电流的大小。