晶体三极管的主要参数
发布时间:2012/12/16 19:32:28 访问次数:3457
晶体管的BP3102参数比较多，这些参数可以从晶体管手册里查到，下面介绍几个主要参数。
1．共发射极交流电流放大系数p(hf。)
我们已经知道，晶体管最重要的特点就是具有电流放大作用，当基极电流Ib有微小的变化时，就会引起集电极电流很大的变化。
共发射极接法时，集电极输出交流电流的变化量AIc:与基极输入交流电流的变化量AIB的比值，就叫做电流放大系数，用字母p表示：
p一输出电流的变化量／输入电流的变化量—AIC/AIB
由于制造工艺和原材料不可能完全相同，即使同一型号的管子，其p值也有相当大的差别，晶体管的p值一般在几十到几百之间。p值太小，电流放大作用就差，但口值太大也并非好事，它可能使晶体管性能不稳定，在使用时应该加以注意在晶体管手册中，常用hf这个符号代表p值。
2．共发射极直流电流放大系数矗FE
hFE是共发射极接法时．集电极输出的直流电流与基极输入的直流流的比值，即：
hFE—IC/IB
FE值和p(hf。)值不完全相同，但是比较接近。
由于测量Alc和AIB的手续比较繁琐，为了简化测试，有时就直接用IC和工。的比值（即矗FE）来衡量管子的电流放大能力。
3．集电极反向饱和电流ICBO
当发射极开路时，在基极和集电极之间加上规定的反向电压这时流经集电结的反向电流叫做集电极反向饱和电流，用ICB()表示。
ICB()说明集电结的质量，良好的晶体管ICBO很小，在常温下，小功率锗管的ICB(，大约10 ptA左右，小功率硅管的IC:BO在1pA以下，甚至更低。大功率锗管的ICBO要大得多，可以达到几mA。而硅管的I(-RO只有同功率锗管的百分之几。ICBO的数值受温度的影响很大，当环境温度升高时迅速增大。
4．集电极一发射极反向电流（穿透电流）ICE()
这是基极开路时，在集电极和发射极之间加上规定的反向电压V。。时的集电极电流，常常称为穿透电流。
穿透电流ICEO和集电极反向饱和电流ICBO之间有一定的关系，即：
ICE()≈（1+B）ICBO
式中，口是晶体管的电流放大系数
ICBO和ICE()受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定。
5．特征频率fT
fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。因为当频率厂上升时，晶体管的卢就会下降，当卢下降到1时，所对应的f称为特征频率。它反映了晶体管的高频放大性能。
1．共发射极交流电流放大系数p(hf。)
我们已经知道，晶体管最重要的特点就是具有电流放大作用，当基极电流Ib有微小的变化时，就会引起集电极电流很大的变化。
共发射极接法时，集电极输出交流电流的变化量AIc:与基极输入交流电流的变化量AIB的比值，就叫做电流放大系数，用字母p表示：
p一输出电流的变化量／输入电流的变化量—AIC/AIB
由于制造工艺和原材料不可能完全相同，即使同一型号的管子，其p值也有相当大的差别，晶体管的p值一般在几十到几百之间。p值太小，电流放大作用就差，但口值太大也并非好事，它可能使晶体管性能不稳定，在使用时应该加以注意在晶体管手册中，常用hf这个符号代表p值。
2．共发射极直流电流放大系数矗FE
hFE是共发射极接法时．集电极输出的直流电流与基极输入的直流流的比值，即：
hFE—IC/IB
FE值和p(hf。)值不完全相同，但是比较接近。
由于测量Alc和AIB的手续比较繁琐，为了简化测试，有时就直接用IC和工。的比值（即矗FE）来衡量管子的电流放大能力。
3．集电极反向饱和电流ICBO
当发射极开路时，在基极和集电极之间加上规定的反向电压这时流经集电结的反向电流叫做集电极反向饱和电流，用ICB()表示。
ICB()说明集电结的质量，良好的晶体管ICBO很小，在常温下，小功率锗管的ICB(，大约10 ptA左右，小功率硅管的IC:BO在1pA以下，甚至更低。大功率锗管的ICBO要大得多，可以达到几mA。而硅管的I(-RO只有同功率锗管的百分之几。ICBO的数值受温度的影响很大，当环境温度升高时迅速增大。
4．集电极一发射极反向电流（穿透电流）ICE()
这是基极开路时，在集电极和发射极之间加上规定的反向电压V。。时的集电极电流，常常称为穿透电流。
穿透电流ICEO和集电极反向饱和电流ICBO之间有一定的关系，即：
ICE()≈（1+B）ICBO
式中，口是晶体管的电流放大系数
ICBO和ICE()受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定。
5．特征频率fT
fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。因为当频率厂上升时，晶体管的卢就会下降，当卢下降到1时，所对应的f称为特征频率。它反映了晶体管的高频放大性能。
晶体管的BP3102参数比较多，这些参数可以从晶体管手册里查到，下面介绍几个主要参数。
1．共发射极交流电流放大系数p(hf。)
我们已经知道，晶体管最重要的特点就是具有电流放大作用，当基极电流Ib有微小的变化时，就会引起集电极电流很大的变化。
共发射极接法时，集电极输出交流电流的变化量AIc:与基极输入交流电流的变化量AIB的比值，就叫做电流放大系数，用字母p表示：
p一输出电流的变化量／输入电流的变化量—AIC/AIB
由于制造工艺和原材料不可能完全相同，即使同一型号的管子，其p值也有相当大的差别，晶体管的p值一般在几十到几百之间。p值太小，电流放大作用就差，但口值太大也并非好事，它可能使晶体管性能不稳定，在使用时应该加以注意在晶体管手册中，常用hf这个符号代表p值。
2．共发射极直流电流放大系数矗FE
hFE是共发射极接法时．集电极输出的直流电流与基极输入的直流流的比值，即：
hFE—IC/IB
FE值和p(hf。)值不完全相同，但是比较接近。
由于测量Alc和AIB的手续比较繁琐，为了简化测试，有时就直接用IC和工。的比值（即矗FE）来衡量管子的电流放大能力。
3．集电极反向饱和电流ICBO
当发射极开路时，在基极和集电极之间加上规定的反向电压这时流经集电结的反向电流叫做集电极反向饱和电流，用ICB()表示。
ICB()说明集电结的质量，良好的晶体管ICBO很小，在常温下，小功率锗管的ICB(，大约10 ptA左右，小功率硅管的IC:BO在1pA以下，甚至更低。大功率锗管的ICBO要大得多，可以达到几mA。而硅管的I(-RO只有同功率锗管的百分之几。ICBO的数值受温度的影响很大，当环境温度升高时迅速增大。
4．集电极一发射极反向电流（穿透电流）ICE()
这是基极开路时，在集电极和发射极之间加上规定的反向电压V。。时的集电极电流，常常称为穿透电流。
穿透电流ICEO和集电极反向饱和电流ICBO之间有一定的关系，即：
ICE()≈（1+B）ICBO
式中，口是晶体管的电流放大系数
ICBO和ICE()受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定。
5．特征频率fT
fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。因为当频率厂上升时，晶体管的卢就会下降，当卢下降到1时，所对应的f称为特征频率。它反映了晶体管的高频放大性能。
1．共发射极交流电流放大系数p(hf。)
我们已经知道，晶体管最重要的特点就是具有电流放大作用，当基极电流Ib有微小的变化时，就会引起集电极电流很大的变化。
共发射极接法时，集电极输出交流电流的变化量AIc:与基极输入交流电流的变化量AIB的比值，就叫做电流放大系数，用字母p表示：
p一输出电流的变化量／输入电流的变化量—AIC/AIB
由于制造工艺和原材料不可能完全相同，即使同一型号的管子，其p值也有相当大的差别，晶体管的p值一般在几十到几百之间。p值太小，电流放大作用就差，但口值太大也并非好事，它可能使晶体管性能不稳定，在使用时应该加以注意在晶体管手册中，常用hf这个符号代表p值。
2．共发射极直流电流放大系数矗FE
hFE是共发射极接法时．集电极输出的直流电流与基极输入的直流流的比值，即：
hFE—IC/IB
FE值和p(hf。)值不完全相同，但是比较接近。
由于测量Alc和AIB的手续比较繁琐，为了简化测试，有时就直接用IC和工。的比值（即矗FE）来衡量管子的电流放大能力。
3．集电极反向饱和电流ICBO
当发射极开路时，在基极和集电极之间加上规定的反向电压这时流经集电结的反向电流叫做集电极反向饱和电流，用ICB()表示。
ICB()说明集电结的质量，良好的晶体管ICBO很小，在常温下，小功率锗管的ICB(，大约10 ptA左右，小功率硅管的IC:BO在1pA以下，甚至更低。大功率锗管的ICBO要大得多，可以达到几mA。而硅管的I(-RO只有同功率锗管的百分之几。ICBO的数值受温度的影响很大，当环境温度升高时迅速增大。
4．集电极一发射极反向电流（穿透电流）ICE()
这是基极开路时，在集电极和发射极之间加上规定的反向电压V。。时的集电极电流，常常称为穿透电流。
穿透电流ICEO和集电极反向饱和电流ICBO之间有一定的关系，即：
ICE()≈（1+B）ICBO
式中，口是晶体管的电流放大系数
ICBO和ICE()受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定。
5．特征频率fT
fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。因为当频率厂上升时，晶体管的卢就会下降，当卢下降到1时，所对应的f称为特征频率。它反映了晶体管的高频放大性能。
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