结型场效应管结构和工作原理解说
    图11-4所示是N沟道结型场效应管的结构12-21C/BHC-AN1P2/2C及工作原理示意图。从图中可以看出，它使用一块N型半导体，在
它的上、下各引出一个电极，分别称为漏极D和源极S。在N型半导体两侧，各设一小块P型半导体，将它们连起来作为栅极G。这样，G与S之间、G与D之间各出现了一个PN结。
    图11-4 N沟道结型场效应管的结构及工作原理示意图表11-5所示是三种直流电压偏置情况分析。

   通过上述分析可知，通过改变G、S极之间的反向偏置电压大小，可改变流过沟道的电流大小，换言之，栅极电压的大小可控制流过漏极的电流的大小。
   说明场效应管是一个电压控制器件，这一点与电子管的特性相同。对于晶体管三极管而言则是电流控制器件，因为它用基极电流去控制集电极电流。