集电极最大允许耗散功率PCM
发布时间:2012/12/16 19:43:35 访问次数:8003
晶体管在正常工作时,集电结上加的MBRF1635是反向电压,电流经过集电结时将产生大量的热,使集电结温度升高。如果集电极电流过大,集电结将因过热而烧坏或者使晶体管性能发生很大变化。
集电极最大允许耗散功率P。:M,就是使晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时,集电极所消耗的最大功率。在这个耗散功率下,晶体管仍能正常地、安全地工作。
晶体管的实际耗散功率等于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc:一VCE×Ic,使用时应该使PC<PCM。
晶体管的最大允许耗散功率主要受PN结温度(简称结温,用Tj表示)的限制,通常锗管的工作温度上限是70℃~90 0C,硅管可达150℃,在使用时应加以注意。
特别要提请注意的是,晶体管工作时集电极最大允许电流ICM和集电极一发射极击穿电压B V(:EO不允许同时达到,否则将大大超过PCM值。同时,还要考虑环境温度的影响,因为手册上所列的PCM值一般都是常温下的数值。
PCM与散热条件有关.增加散热片可提高PCM。
晶体三极管的分类
晶体管三极管的种类和型号有很多,它们各有不同的用途。按照材料可以将晶体管分为锗晶体管和硅晶体管;按照极性可以分为PNP型晶体管和NPN型晶体管;按照频率特性可以分为低频晶体管和高频晶体管;按照功率大小可以分为小功率管、中功率管和大功率管;按照用途可以分为普通管、变频管、高频管、中放管、低噪声放大管、功率放大管、开关管等。
集电极最大允许耗散功率P。:M,就是使晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时,集电极所消耗的最大功率。在这个耗散功率下,晶体管仍能正常地、安全地工作。
晶体管的实际耗散功率等于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc:一VCE×Ic,使用时应该使PC<PCM。
晶体管的最大允许耗散功率主要受PN结温度(简称结温,用Tj表示)的限制,通常锗管的工作温度上限是70℃~90 0C,硅管可达150℃,在使用时应加以注意。
特别要提请注意的是,晶体管工作时集电极最大允许电流ICM和集电极一发射极击穿电压B V(:EO不允许同时达到,否则将大大超过PCM值。同时,还要考虑环境温度的影响,因为手册上所列的PCM值一般都是常温下的数值。
PCM与散热条件有关.增加散热片可提高PCM。
晶体三极管的分类
晶体管三极管的种类和型号有很多,它们各有不同的用途。按照材料可以将晶体管分为锗晶体管和硅晶体管;按照极性可以分为PNP型晶体管和NPN型晶体管;按照频率特性可以分为低频晶体管和高频晶体管;按照功率大小可以分为小功率管、中功率管和大功率管;按照用途可以分为普通管、变频管、高频管、中放管、低噪声放大管、功率放大管、开关管等。
晶体管在正常工作时,集电结上加的MBRF1635是反向电压,电流经过集电结时将产生大量的热,使集电结温度升高。如果集电极电流过大,集电结将因过热而烧坏或者使晶体管性能发生很大变化。
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晶体管的实际耗散功率等于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc:一VCE×Ic,使用时应该使PC<PCM。
晶体管的最大允许耗散功率主要受PN结温度(简称结温,用Tj表示)的限制,通常锗管的工作温度上限是70℃~90 0C,硅管可达150℃,在使用时应加以注意。
特别要提请注意的是,晶体管工作时集电极最大允许电流ICM和集电极一发射极击穿电压B V(:EO不允许同时达到,否则将大大超过PCM值。同时,还要考虑环境温度的影响,因为手册上所列的PCM值一般都是常温下的数值。
PCM与散热条件有关.增加散热片可提高PCM。
晶体三极管的分类
晶体管三极管的种类和型号有很多,它们各有不同的用途。按照材料可以将晶体管分为锗晶体管和硅晶体管;按照极性可以分为PNP型晶体管和NPN型晶体管;按照频率特性可以分为低频晶体管和高频晶体管;按照功率大小可以分为小功率管、中功率管和大功率管;按照用途可以分为普通管、变频管、高频管、中放管、低噪声放大管、功率放大管、开关管等。
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晶体管的最大允许耗散功率主要受PN结温度(简称结温,用Tj表示)的限制,通常锗管的工作温度上限是70℃~90 0C,硅管可达150℃,在使用时应加以注意。
特别要提请注意的是,晶体管工作时集电极最大允许电流ICM和集电极一发射极击穿电压B V(:EO不允许同时达到,否则将大大超过PCM值。同时,还要考虑环境温度的影响,因为手册上所列的PCM值一般都是常温下的数值。
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晶体三极管的分类
晶体管三极管的种类和型号有很多,它们各有不同的用途。按照材料可以将晶体管分为锗晶体管和硅晶体管;按照极性可以分为PNP型晶体管和NPN型晶体管;按照频率特性可以分为低频晶体管和高频晶体管;按照功率大小可以分为小功率管、中功率管和大功率管;按照用途可以分为普通管、变频管、高频管、中放管、低噪声放大管、功率放大管、开关管等。
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