晶体三极管的极限参数
发布时间:2012/12/16 19:42:16 访问次数:2883
晶体管工作时，加在晶体管上的电压和通过晶体管的电流是有一定限度的，超过限度将使晶体管损坏或者影响它的正常性能。晶体管的极限参数就是用来说明这种限制的，晶体管的极限参数主要有下面三种：
1．集电极最大允许电流ICM
当集电极电流J。超过一定值时，晶体管的M29F040B70N6E参数开始发生变化，犄别是电流放大系数p要下降。一般规定』8值下降到原来数值的1／2（或l／3）时的集电极电流，叫做集电极最大允许电流，用ICM表示。
在使用晶体管时，集电极电流Ic超过ICM并不一定会使晶体管损坏，然而它是以降低p值为代价的。
2．集电极一发射极击穿电压B VCEO
当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，叫做集电极一发射极击穿电压B V(:EO(对NPN型管来说，集电极接正极、发射极接负极，PNP型管的电压极性则相反)。当集电极一发射极间电压VCE大于B Vc EO时，流经晶体管的电流将突然增加很多，晶体管就被击穿。
在手册中给出的B Vceo，值一般是常温(25℃)下的值，晶体管在高温下使用时，其允许电压要比常温下的数值低得多。所以在高温情况下使用晶体管时，要留有一定的耐压余量。
1．集电极最大允许电流ICM
当集电极电流J。超过一定值时，晶体管的M29F040B70N6E参数开始发生变化，犄别是电流放大系数p要下降。一般规定』8值下降到原来数值的1／2（或l／3）时的集电极电流，叫做集电极最大允许电流，用ICM表示。
在使用晶体管时，集电极电流Ic超过ICM并不一定会使晶体管损坏，然而它是以降低p值为代价的。
2．集电极一发射极击穿电压B VCEO
当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，叫做集电极一发射极击穿电压B V(:EO(对NPN型管来说，集电极接正极、发射极接负极，PNP型管的电压极性则相反)。当集电极一发射极间电压VCE大于B Vc EO时，流经晶体管的电流将突然增加很多，晶体管就被击穿。
在手册中给出的B Vceo，值一般是常温(25℃)下的值，晶体管在高温下使用时，其允许电压要比常温下的数值低得多。所以在高温情况下使用晶体管时，要留有一定的耐压余量。
晶体管工作时，加在晶体管上的电压和通过晶体管的电流是有一定限度的，超过限度将使晶体管损坏或者影响它的正常性能。晶体管的极限参数就是用来说明这种限制的，晶体管的极限参数主要有下面三种：
1．集电极最大允许电流ICM
当集电极电流J。超过一定值时，晶体管的M29F040B70N6E参数开始发生变化，犄别是电流放大系数p要下降。一般规定』8值下降到原来数值的1／2（或l／3）时的集电极电流，叫做集电极最大允许电流，用ICM表示。
在使用晶体管时，集电极电流Ic超过ICM并不一定会使晶体管损坏，然而它是以降低p值为代价的。
2．集电极一发射极击穿电压B VCEO
当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，叫做集电极一发射极击穿电压B V(:EO(对NPN型管来说，集电极接正极、发射极接负极，PNP型管的电压极性则相反)。当集电极一发射极间电压VCE大于B Vc EO时，流经晶体管的电流将突然增加很多，晶体管就被击穿。
在手册中给出的B Vceo，值一般是常温(25℃)下的值，晶体管在高温下使用时，其允许电压要比常温下的数值低得多。所以在高温情况下使用晶体管时，要留有一定的耐压余量。
1．集电极最大允许电流ICM
当集电极电流J。超过一定值时，晶体管的M29F040B70N6E参数开始发生变化，犄别是电流放大系数p要下降。一般规定』8值下降到原来数值的1／2（或l／3）时的集电极电流，叫做集电极最大允许电流，用ICM表示。
在使用晶体管时，集电极电流Ic超过ICM并不一定会使晶体管损坏，然而它是以降低p值为代价的。
2．集电极一发射极击穿电压B VCEO
当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，叫做集电极一发射极击穿电压B V(:EO(对NPN型管来说，集电极接正极、发射极接负极，PNP型管的电压极性则相反)。当集电极一发射极间电压VCE大于B Vc EO时，流经晶体管的电流将突然增加很多，晶体管就被击穿。
在手册中给出的B Vceo，值一般是常温(25℃)下的值，晶体管在高温下使用时，其允许电压要比常温下的数值低得多。所以在高温情况下使用晶体管时，要留有一定的耐压余量。
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- 12-6与门电路
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