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开关器件采用MOSFET的电路

发布时间:2012/8/24 20:25:20 访问次数:1055

    为了使晶体管导通,必须有CD4031BE极电流流过。图12.5使用晶体管的开关电源电路中,开关晶体管的基极电流是无用电流(不是提供给负载的电流),所以基极电流降低了电路的效率。
    基极电流导致效率的降低给这里设计的小规模电源中带来很大的影响。所以在希望提高小规模电源效率的场合,应该采用MOSFET开关器件。MOSFET没有栅极电流流动,所以为使开关器件导通而损耗的功率非常小,从而提高了电路的效率。
    图12.13是将图12.5中Tri换为P沟MOSFET的电路(其他部分与图12.5相同)。MOSFET的栅偏压由IC1的4号管脚提供,所以没有必要使用栅偏压电阻(图12.5的R3、R4)。
    选择MOSFET的方法与使用晶体管的场合完全相同,在这个电路中,选择ID≥210mA,VDSS≥15. 3V的器件。图12.13中选用的是最大额定值ID=8A,VDSs=100V的2SJ128(NEC)。

               


 

    为了使晶体管导通,必须有CD4031BE极电流流过。图12.5使用晶体管的开关电源电路中,开关晶体管的基极电流是无用电流(不是提供给负载的电流),所以基极电流降低了电路的效率。
    基极电流导致效率的降低给这里设计的小规模电源中带来很大的影响。所以在希望提高小规模电源效率的场合,应该采用MOSFET开关器件。MOSFET没有栅极电流流动,所以为使开关器件导通而损耗的功率非常小,从而提高了电路的效率。
    图12.13是将图12.5中Tri换为P沟MOSFET的电路(其他部分与图12.5相同)。MOSFET的栅偏压由IC1的4号管脚提供,所以没有必要使用栅偏压电阻(图12.5的R3、R4)。
    选择MOSFET的方法与使用晶体管的场合完全相同,在这个电路中,选择ID≥210mA,VDSS≥15. 3V的器件。图12.13中选用的是最大额定值ID=8A,VDSs=100V的2SJ128(NEC)。

               


 

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