使用零偏置JFET的电路
发布时间:2012/8/16 20:21:23 访问次数:965
第2章曾经讲过“JFET的漏极LM3886TF电流不能够超过IDSS”。不过实际的JFET中能够流过大于IDSS的电流。
图3.32列出了N沟JFET 2SK330GR传输特性的实测数据。如图2.7所示,JFET的栅极一沟道间是一个PN结,就是说存在一个二极管。图3.32中,正的VGS值处于这个二极管未导通的范围(VGS<+0.6~+0.7V),
这时,有大于IDSS的电流流过漏极。而且在IDSS附近VGS为正的范围内漏极电流对于VGS的变化是线性关系。当然,对于P沟JFET也是同样的(但是注意P沟JFET的VG。的极性不同)。
这就是说,如果输入信号的振幅小,那么即使VGS=OV(所谓的零偏置),JFET也能够正常工作。
第2章曾经讲过“JFET的漏极LM3886TF电流不能够超过IDSS”。不过实际的JFET中能够流过大于IDSS的电流。
图3.32列出了N沟JFET 2SK330GR传输特性的实测数据。如图2.7所示,JFET的栅极一沟道间是一个PN结,就是说存在一个二极管。图3.32中,正的VGS值处于这个二极管未导通的范围(VGS<+0.6~+0.7V),
这时,有大于IDSS的电流流过漏极。而且在IDSS附近VGS为正的范围内漏极电流对于VGS的变化是线性关系。当然,对于P沟JFET也是同样的(但是注意P沟JFET的VG。的极性不同)。
这就是说,如果输入信号的振幅小,那么即使VGS=OV(所谓的零偏置),JFET也能够正常工作。
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