图3.33是利用LM319N这种性质LM319N的零偏置源极接地放大电路。这个电路的结构简单，应用于话筒放大器或者高输入阻抗的前置放大器等。

    栅极偏置电路只用一个Rc一lMtQ的电阻，将栅极偏置为与源极电位相同的OV(GND电平)(VGS=OV)。因此，没有信号输入时的漏极电流就变成IDSS。
    如果输入端有电压输入，VGS就以OV为中心正负摆动（输入电压一VGS），漏极电流就以IDSS为中心增减。后面的电路与一般的源极接地放大电路相同，这个漏极电流的变化部分在RD上变换为电压，作为输出被取出。
    由于是源极直接接地（没有源极电阻），所以这个电路的电压增益为g。×RD(参看式(3.20))。
    考虑到所使用JFET的IDSS的分散性，取IDSS最大时RD上的电压降为适当的值，以此设定RD的值。
    表3.2是图3.33中电路所使用的JFET 2SK330的特性。由于2SK330GR的IDSS分散在2.6～6.5mA之间，设RD一620Q，当bSS一6.5mA时，RD上的电压降为4V( =620fl×6.5mA)。这时的漏极电位为1V(=5V-4V)，历以漏极电位就以这个电压为中心摆动。
    如果增大RD，电路的增益也提高。但是由于漏极电压接近GND，所以取不出输出振幅（当然，RD上的电压降超过电源电压时也不能工作）。
    当希望提高电路的增益时，不应该增大RD的值，而应该选用gM大的JFET。
    如果这个电路的输入电压为+0.6～+0.7V，由于栅极一源极间的二极管将会导通（作为放大电路就不能工作），所以不太能够输入较大振幅的信号。由图3.32看出，线性输入的电压范围为1.2Vp_p(-0.6～+0.6V)。