下面设定工作点。与双极晶LM2575T-12体管相同，FET的漏极电流ID和栅极一漏极间电压VGD等值对于gM、噪声特性、频率特性等都有重要的影响。
    图3.5示出了2SK184的各种特性。可以看出由于ID、VGD的不同，各种特性有很大的差异。这种情况与双极晶体管相同。
    但是这里设计的电路对于噪声、频率特性等没有作具体的规定，所以并不介意工作点的设定。
    这就是说，漏极电流，D是几毫安都可以。2SK184是JFET器件，ID最大不超过饱和电流IDSS。所以只要小于IDSS，不论几毫安都可以。

             
   这里使用的2SK184GR的IDSS是2.6～6.5mA，ID处于IDSS范围的下限2.6mA以下。为方便起见，取ID=lmA。
    应该注意当设定值太接近IDSS时，信号输入后由于IDSS的关系，ID电流的增加无法超过这个值，输出波彤就会被限幅。
    顺便指出，这种小信号用FET的漏极电流一般在0.ImA至数毫安的范围。
    必须注意的是，作为工作点要决定的不是V GS而是ID。这是因为如图3.5(a)、(b)所示，FET的重要特性不是因V。；。而是随ID的值变化的。
    VGS的值在设计栅偏压电路时是必要的。不过如果设定好ID值，从传输特性曲线中必然能够求得VGS。