确定RD和Rs
发布时间:2012/8/16 19:18:41 访问次数:2028
如式(3.11)所示，电路的放LM2574N-ADJ大倍数A，由RD与Rs之比决定。为了得到设计指所规定的AV=3，设定RD：Rs=3:1。
栅极一源极间电压V GS因IDSS值和ID的工作点值而变化，也受温度的影响。
如果VGS变化，那么加在Rs上的电压也会变化，结果使ID变化（严格地说，是由于ID随温度变化，而使VGS变化）。为了抵消VGS因温度的变化，使漏极电流具有稳定性，往往设定Rs上的直流电压降大于1V(使得VGS <IS．Rs)。
在这里设Rs上的电压降为2V。由于ID =lmA，因此由式(3.4)得到
但是，E24数列中并没有这个值的电阻，所以应取数列中靠近的电阻值，即取RD一6.2k0。因此，增益的设定值为A。一3.1(=6.2 kfl÷2 kCl)。
功率损耗的计算
下面计算FET中产生的功率损耗（这项损耗变为热量，使FET发热）。
FET漏极一源极间电压VDS是漏极电位VD与源极电位Vs之差，由式(3.5)得到
VDS=VD-VS=VDD-ID.RD-IS.Rs
=15V-lmA×6.2kQ,- 2V
-6.8V (3.15)
FET中产生的功耗PD等于加在FET上的电压VDS与流过的电流ID之积，即
PD—VDS.ID一6.8V×ImA一6.8mW (3.16)
可以看出，计算得到的值大大低于表1所列的容许损耗的最大额定值200mW。
知果RD值比较大，那么RD本身的电压降变大，漏极电位将下降，当输出振幅大时，致使源极电位受到牵连(漏极一源极间电压变为OV)，输出波形的下半周被限幅。
相反，如果RD小，影响到电源电压，将限制输出波形的上半周。因此，当输出最大振幅（本电路中为3VP-P）时，如果由于这种电压关系导致波形被限制时，就必须改变Vs或者工D的设定值，重新计算RD和Rs的值。
最好将漏极电位VD设定在VDD与Vs的中点（在这个电路中得到最大的输出振幅）。当然如果能够满足最大输出振幅的指标要求，也就没有必要拘泥于这点。
栅极一源极间电压V GS因IDSS值和ID的工作点值而变化，也受温度的影响。
如果VGS变化，那么加在Rs上的电压也会变化，结果使ID变化（严格地说，是由于ID随温度变化，而使VGS变化）。为了抵消VGS因温度的变化，使漏极电流具有稳定性，往往设定Rs上的直流电压降大于1V(使得VGS <IS．Rs)。
在这里设Rs上的电压降为2V。由于ID =lmA，因此由式(3.4)得到
但是，E24数列中并没有这个值的电阻，所以应取数列中靠近的电阻值，即取RD一6.2k0。因此，增益的设定值为A。一3.1(=6.2 kfl÷2 kCl)。
功率损耗的计算
下面计算FET中产生的功率损耗（这项损耗变为热量，使FET发热）。
FET漏极一源极间电压VDS是漏极电位VD与源极电位Vs之差，由式(3.5)得到
VDS=VD-VS=VDD-ID.RD-IS.Rs
=15V-lmA×6.2kQ,- 2V
-6.8V (3.15)
FET中产生的功耗PD等于加在FET上的电压VDS与流过的电流ID之积，即
PD—VDS.ID一6.8V×ImA一6.8mW (3.16)
可以看出，计算得到的值大大低于表1所列的容许损耗的最大额定值200mW。
知果RD值比较大，那么RD本身的电压降变大，漏极电位将下降，当输出振幅大时，致使源极电位受到牵连(漏极一源极间电压变为OV)，输出波形的下半周被限幅。
相反，如果RD小，影响到电源电压，将限制输出波形的上半周。因此，当输出最大振幅（本电路中为3VP-P）时，如果由于这种电压关系导致波形被限制时，就必须改变Vs或者工D的设定值，重新计算RD和Rs的值。
最好将漏极电位VD设定在VDD与Vs的中点（在这个电路中得到最大的输出振幅）。当然如果能够满足最大输出振幅的指标要求，也就没有必要拘泥于这点。
如式(3.11)所示，电路的放LM2574N-ADJ大倍数A，由RD与Rs之比决定。为了得到设计指所规定的AV=3，设定RD：Rs=3:1。
栅极一源极间电压V GS因IDSS值和ID的工作点值而变化，也受温度的影响。
如果VGS变化，那么加在Rs上的电压也会变化，结果使ID变化（严格地说，是由于ID随温度变化，而使VGS变化）。为了抵消VGS因温度的变化，使漏极电流具有稳定性，往往设定Rs上的直流电压降大于1V(使得VGS <IS．Rs)。
在这里设Rs上的电压降为2V。由于ID =lmA，因此由式(3.4)得到
但是，E24数列中并没有这个值的电阻，所以应取数列中靠近的电阻值，即取RD一6.2k0。因此，增益的设定值为A。一3.1(=6.2 kfl÷2 kCl)。
功率损耗的计算
下面计算FET中产生的功率损耗（这项损耗变为热量，使FET发热）。
FET漏极一源极间电压VDS是漏极电位VD与源极电位Vs之差，由式(3.5)得到
VDS=VD-VS=VDD-ID.RD-IS.Rs
=15V-lmA×6.2kQ,- 2V
-6.8V (3.15)
FET中产生的功耗PD等于加在FET上的电压VDS与流过的电流ID之积，即
PD—VDS.ID一6.8V×ImA一6.8mW (3.16)
可以看出，计算得到的值大大低于表1所列的容许损耗的最大额定值200mW。
知果RD值比较大，那么RD本身的电压降变大，漏极电位将下降，当输出振幅大时，致使源极电位受到牵连(漏极一源极间电压变为OV)，输出波形的下半周被限幅。
相反，如果RD小，影响到电源电压，将限制输出波形的上半周。因此，当输出最大振幅（本电路中为3VP-P）时，如果由于这种电压关系导致波形被限制时，就必须改变Vs或者工D的设定值，重新计算RD和Rs的值。
最好将漏极电位VD设定在VDD与Vs的中点（在这个电路中得到最大的输出振幅）。当然如果能够满足最大输出振幅的指标要求，也就没有必要拘泥于这点。
栅极一源极间电压V GS因IDSS值和ID的工作点值而变化，也受温度的影响。
如果VGS变化，那么加在Rs上的电压也会变化，结果使ID变化（严格地说，是由于ID随温度变化，而使VGS变化）。为了抵消VGS因温度的变化，使漏极电流具有稳定性，往往设定Rs上的直流电压降大于1V(使得VGS <IS．Rs)。
在这里设Rs上的电压降为2V。由于ID =lmA，因此由式(3.4)得到
但是，E24数列中并没有这个值的电阻，所以应取数列中靠近的电阻值，即取RD一6.2k0。因此，增益的设定值为A。一3.1(=6.2 kfl÷2 kCl)。
功率损耗的计算
下面计算FET中产生的功率损耗（这项损耗变为热量，使FET发热）。
FET漏极一源极间电压VDS是漏极电位VD与源极电位Vs之差，由式(3.5)得到
VDS=VD-VS=VDD-ID.RD-IS.Rs
=15V-lmA×6.2kQ,- 2V
-6.8V (3.15)
FET中产生的功耗PD等于加在FET上的电压VDS与流过的电流ID之积，即
PD—VDS.ID一6.8V×ImA一6.8mW (3.16)
可以看出，计算得到的值大大低于表1所列的容许损耗的最大额定值200mW。
知果RD值比较大，那么RD本身的电压降变大，漏极电位将下降，当输出振幅大时，致使源极电位受到牵连(漏极一源极间电压变为OV)，输出波形的下半周被限幅。
相反，如果RD小，影响到电源电压，将限制输出波形的上半周。因此，当输出最大振幅（本电路中为3VP-P）时，如果由于这种电压关系导致波形被限制时，就必须改变Vs或者工D的设定值，重新计算RD和Rs的值。
最好将漏极电位VD设定在VDD与Vs的中点（在这个电路中得到最大的输出振幅）。当然如果能够满足最大输出振幅的指标要求，也就没有必要拘泥于这点。
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