静电放电对电子工业的危害
发布时间:2012/8/13 19:28:54 访问次数:1411
在生产中，人们常把对LM2907N静电敏感的电子器件称为静电敏感器件( SSD)，这类电子器件L要是指超大规模集成电路，特别是金属氧化膜半导体器件。
电子工业中，摩擦起电和人体带电常有的情况。电子产品在生产、包装、运输及装联成整机的加工、调试和检测过程中，难免受到外界或自身的接触摩擦而形成很高的表面电位，如果操作者不采取静电防护措施，人体静电电位可高达1.5～3kV。因此无论是摩擦起电或是人体静电均会对静电敏感电子器件造成损坏。静电损坏大体上分为两类，包括由静电引起的对浮尘的吸附及由静电放电引起的敏感元器件的击穿，其中击穿又分硬击穿和软击穿两种情况。
1)静电吸附
在半导体和半导体器件制造过程中，由于高分子材料等具有高绝缘性，易积聚很高的静电，并易吸附空气中的带电微粒，导致半导体介质击穿而失效，为了防止这种危害的产生，半导体和半导体器件的制造必须在洁净室内进行。同时洁净室的墙壁、天花板、地板和操作人员，以及一切工具、器具均应采取防静电措施。
2)硬击穿和软击穿
随着科学技术的进步，特别是金属氧化物半导体( MOS)器件的出现，超大规模集成电路集成度和输入阳抗越来越高，这类器件对静电越来越敏感。静电放电对静电敏感器件损害的主要表现为两种形式。一是硬击穿，造成整个器件的失效和损坏；二是软击穿，造成器件的局部损伤，降低了器件的技术性能，由此留下不易被人发现的隐患，以致设备不能正常工作。软击穿带来的危害有时比硬击穿更危险，软击穿的初期往往只是性能稍有下降，产品在使用过程中随着时间的推移，软击穿发展为元器件的永久性失效，并导致设备受损。静电导致器件失效大致包括两个原因：一是因静电电压导致器件失效，主要有介质击穿、表面击穿和电弧放电；二是因静电功率导致器件失效，主要有热二次击穿、体积击穿和金属喷镀熔融。
电子工业中，摩擦起电和人体带电常有的情况。电子产品在生产、包装、运输及装联成整机的加工、调试和检测过程中，难免受到外界或自身的接触摩擦而形成很高的表面电位，如果操作者不采取静电防护措施，人体静电电位可高达1.5～3kV。因此无论是摩擦起电或是人体静电均会对静电敏感电子器件造成损坏。静电损坏大体上分为两类，包括由静电引起的对浮尘的吸附及由静电放电引起的敏感元器件的击穿，其中击穿又分硬击穿和软击穿两种情况。
1)静电吸附
在半导体和半导体器件制造过程中，由于高分子材料等具有高绝缘性，易积聚很高的静电，并易吸附空气中的带电微粒，导致半导体介质击穿而失效，为了防止这种危害的产生，半导体和半导体器件的制造必须在洁净室内进行。同时洁净室的墙壁、天花板、地板和操作人员，以及一切工具、器具均应采取防静电措施。
2)硬击穿和软击穿
随着科学技术的进步，特别是金属氧化物半导体( MOS)器件的出现，超大规模集成电路集成度和输入阳抗越来越高，这类器件对静电越来越敏感。静电放电对静电敏感器件损害的主要表现为两种形式。一是硬击穿，造成整个器件的失效和损坏；二是软击穿，造成器件的局部损伤，降低了器件的技术性能，由此留下不易被人发现的隐患，以致设备不能正常工作。软击穿带来的危害有时比硬击穿更危险，软击穿的初期往往只是性能稍有下降，产品在使用过程中随着时间的推移，软击穿发展为元器件的永久性失效，并导致设备受损。静电导致器件失效大致包括两个原因：一是因静电电压导致器件失效，主要有介质击穿、表面击穿和电弧放电；二是因静电功率导致器件失效，主要有热二次击穿、体积击穿和金属喷镀熔融。
在生产中，人们常把对LM2907N静电敏感的电子器件称为静电敏感器件( SSD)，这类电子器件L要是指超大规模集成电路，特别是金属氧化膜半导体器件。
电子工业中，摩擦起电和人体带电常有的情况。电子产品在生产、包装、运输及装联成整机的加工、调试和检测过程中，难免受到外界或自身的接触摩擦而形成很高的表面电位，如果操作者不采取静电防护措施，人体静电电位可高达1.5～3kV。因此无论是摩擦起电或是人体静电均会对静电敏感电子器件造成损坏。静电损坏大体上分为两类，包括由静电引起的对浮尘的吸附及由静电放电引起的敏感元器件的击穿，其中击穿又分硬击穿和软击穿两种情况。
1)静电吸附
在半导体和半导体器件制造过程中，由于高分子材料等具有高绝缘性，易积聚很高的静电，并易吸附空气中的带电微粒，导致半导体介质击穿而失效，为了防止这种危害的产生，半导体和半导体器件的制造必须在洁净室内进行。同时洁净室的墙壁、天花板、地板和操作人员，以及一切工具、器具均应采取防静电措施。
2)硬击穿和软击穿
随着科学技术的进步，特别是金属氧化物半导体( MOS)器件的出现，超大规模集成电路集成度和输入阳抗越来越高，这类器件对静电越来越敏感。静电放电对静电敏感器件损害的主要表现为两种形式。一是硬击穿，造成整个器件的失效和损坏；二是软击穿，造成器件的局部损伤，降低了器件的技术性能，由此留下不易被人发现的隐患，以致设备不能正常工作。软击穿带来的危害有时比硬击穿更危险，软击穿的初期往往只是性能稍有下降，产品在使用过程中随着时间的推移，软击穿发展为元器件的永久性失效，并导致设备受损。静电导致器件失效大致包括两个原因：一是因静电电压导致器件失效，主要有介质击穿、表面击穿和电弧放电；二是因静电功率导致器件失效，主要有热二次击穿、体积击穿和金属喷镀熔融。
电子工业中，摩擦起电和人体带电常有的情况。电子产品在生产、包装、运输及装联成整机的加工、调试和检测过程中，难免受到外界或自身的接触摩擦而形成很高的表面电位，如果操作者不采取静电防护措施，人体静电电位可高达1.5～3kV。因此无论是摩擦起电或是人体静电均会对静电敏感电子器件造成损坏。静电损坏大体上分为两类，包括由静电引起的对浮尘的吸附及由静电放电引起的敏感元器件的击穿，其中击穿又分硬击穿和软击穿两种情况。
1)静电吸附
在半导体和半导体器件制造过程中，由于高分子材料等具有高绝缘性，易积聚很高的静电，并易吸附空气中的带电微粒，导致半导体介质击穿而失效，为了防止这种危害的产生，半导体和半导体器件的制造必须在洁净室内进行。同时洁净室的墙壁、天花板、地板和操作人员，以及一切工具、器具均应采取防静电措施。
2)硬击穿和软击穿
随着科学技术的进步，特别是金属氧化物半导体( MOS)器件的出现，超大规模集成电路集成度和输入阳抗越来越高，这类器件对静电越来越敏感。静电放电对静电敏感器件损害的主要表现为两种形式。一是硬击穿，造成整个器件的失效和损坏；二是软击穿，造成器件的局部损伤，降低了器件的技术性能，由此留下不易被人发现的隐患，以致设备不能正常工作。软击穿带来的危害有时比硬击穿更危险，软击穿的初期往往只是性能稍有下降，产品在使用过程中随着时间的推移，软击穿发展为元器件的永久性失效，并导致设备受损。静电导致器件失效大致包括两个原因：一是因静电电压导致器件失效，主要有介质击穿、表面击穿和电弧放电；二是因静电功率导致器件失效，主要有热二次击穿、体积击穿和金属喷镀熔融。
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