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电路简介

发布时间:2012/6/19 19:36:43 访问次数:1257

    IRS2092是旧公司的D类音频功BDY56放驱动芯片,与旧公司的D类音频专用MOS管配合使用,可以实现大功率(高达500w)、高性能D类音频功放的设计。是本次制作的电路原理图,下面根据该原理图,对电路功能作一简单介绍。
    从图中可以看出,IRS2092需要两组电源,一组以负电压为参考的+12V电源,送AVCC端,用于MOS管半桥驱动,这里使用了一个7812用作稳压。为了减小781 2上的功耗,根据电源电压的大小串接电阻R17。另一组正负对称的电源分别送入VAA和VSS端,用作内部误差放大器电源,芯片内部自带稳压二极管,将VAA与VSS端电压稳定在±5.6V左右。如果使用一对7805和7905稳压后给VAA与VSS供电,可能会有更好的效果,此时内部稳压管不工作。    ’
    R1、R2、R10构成反馈电路,决定了功放的电压增益,由于R2影响内部积分时长,也就是说振荡频率会随着R2改变,所以调整电压增益时最好保持R2数值不变,改变R1的数值。此外,R1和C1决定了放大器输入回路的下限截止频率,这也是大家熟知的。按图中参数取值,放大器的电压增益约为14.5V/V,输入回路下限截止额率约5Hz。对于一般的音源,这一电压增益是不够的,而输入电阻Rl本来就不算大,不宜通过减小Rl的方式来提高电压增益,所以通常情况下,给功放加一级前级电压放大是必要的。
    R4、C3、C5的参数决定了芯片内部的振荡频率,IRS2092支持振荡频率在几十千赫兹到800kHz之间。对于D类音频功放,这一频率不小于音频的10倍,如果以音频最高频率计算,即不小于200kHz。频率越高,流过电感的高次谐波电流越小,但是MOS管的开关损耗以及电感的磁芯损耗也会随之增加,所以调制频率需要折中考虑。JR公司设计指南推荐的调制频率为4CC4<-1z左右。
    R13、R14用于半桥低边MOS管的过流保护设置,R15、R16用于MOS管的死区时间设置,这些参数的设置需要考虑电路的电源电压、所选的MOS管型号以及调制频率等因素,具体的计算方法可以参照IRS2092设计指南的详细说明。
    输出级电路采用的是半桥式的驱动方式,要求电源为正负对称的形式,但和全桥的方式相比,解调(或者叫滤波)电感和电容的数量减少了一半,这使得成本(特别是电感)相对降低。另外,由于工作时只有一个MOS管导通,MOS管的上损耗也减小了一半,所以效率鞍全桥形式有所提高。
    IRS2092是旧公司的D类音频功BDY56放驱动芯片,与旧公司的D类音频专用MOS管配合使用,可以实现大功率(高达500w)、高性能D类音频功放的设计。是本次制作的电路原理图,下面根据该原理图,对电路功能作一简单介绍。
    从图中可以看出,IRS2092需要两组电源,一组以负电压为参考的+12V电源,送AVCC端,用于MOS管半桥驱动,这里使用了一个7812用作稳压。为了减小781 2上的功耗,根据电源电压的大小串接电阻R17。另一组正负对称的电源分别送入VAA和VSS端,用作内部误差放大器电源,芯片内部自带稳压二极管,将VAA与VSS端电压稳定在±5.6V左右。如果使用一对7805和7905稳压后给VAA与VSS供电,可能会有更好的效果,此时内部稳压管不工作。    ’
    R1、R2、R10构成反馈电路,决定了功放的电压增益,由于R2影响内部积分时长,也就是说振荡频率会随着R2改变,所以调整电压增益时最好保持R2数值不变,改变R1的数值。此外,R1和C1决定了放大器输入回路的下限截止频率,这也是大家熟知的。按图中参数取值,放大器的电压增益约为14.5V/V,输入回路下限截止额率约5Hz。对于一般的音源,这一电压增益是不够的,而输入电阻Rl本来就不算大,不宜通过减小Rl的方式来提高电压增益,所以通常情况下,给功放加一级前级电压放大是必要的。
    R4、C3、C5的参数决定了芯片内部的振荡频率,IRS2092支持振荡频率在几十千赫兹到800kHz之间。对于D类音频功放,这一频率不小于音频的10倍,如果以音频最高频率计算,即不小于200kHz。频率越高,流过电感的高次谐波电流越小,但是MOS管的开关损耗以及电感的磁芯损耗也会随之增加,所以调制频率需要折中考虑。JR公司设计指南推荐的调制频率为4CC4<-1z左右。
    R13、R14用于半桥低边MOS管的过流保护设置,R15、R16用于MOS管的死区时间设置,这些参数的设置需要考虑电路的电源电压、所选的MOS管型号以及调制频率等因素,具体的计算方法可以参照IRS2092设计指南的详细说明。
    输出级电路采用的是半桥式的驱动方式,要求电源为正负对称的形式,但和全桥的方式相比,解调(或者叫滤波)电感和电容的数量减少了一半,这使得成本(特别是电感)相对降低。另外,由于工作时只有一个MOS管导通,MOS管的上损耗也减小了一半,所以效率鞍全桥形式有所提高。

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