元器件选择
发布时间:2012/6/19 19:41:53 访问次数:1367
本次制作用到的元器件种THF51T类规格较多，附表为本次制作的元器件清单。需要引起注意的是，我所用的开关电源电压为±30V，表中的元件参数也是在这一条件下给出的，如果电源电压提高，多项参数也需要改变。
首先是C12、C13这两个主滤波电容的耐压要高于电源电压，这一点相信大家都会注意到。如果电源电压改变，R3、R12与R17的阻值和功率也要根据计算做出相应变化。R3、R12上的电压为电源电压V+减去5.6V，流过R3、R12的电流约10mA，由此不难估算出其阻值与功率。R17-方面可以减少7812上的功耗，使7812免去对散热器的需求，另一方面可以分去部分电压，避免7812因输入电压过高而损坏。IR公司评估板上使用的是晶体管加稳压二极管组成的串联稳压电路，这种方式不需要考虑输入过压的问题，但调整管需要加散热器。
然后关注一下后级的半桥电路IRF14019。该器件内部集成了两个相同的N沟道音频专用MOS管，这种MOS管是快速恢复型的，响应速度远远高于普通的MOS管，用于高速开关的D类功放中，大大减小了MOS管的开关损耗，提高了效率。当然，这里也可以使用其他型号的音频专用MOS管，如IR公司的DirectFFT系列，但本制作为单面PCB，不宜采用。
接下来说到D类音频功放中最重要的器件——输出滤波电感和电容。首先在参数方面，按图中的参数取值，4Q兔载下的带宽（-ldB）约25kHz，但在80时变化到50kHz。如果要增加带宽，可以适当改变L1与G9的参数．L1可以减小到lOuH。最后我选择了10UH的电感和0.68“F的电容，4Q负载下的带宽约30kHz，8Q时约22kHz（Multisiml0仿真结果）。在介质材料的选择方面，有机薄膜电容适合于用作输出滤波电容，这里选耐压为250V的WIMA电容。电感磁芯的选取是至关重要的，本次制作经过测试验证，最终找到了比较合适的磁芯材料，详细过程将在后文提到。
最后提到二极管和电解电容。图中VD2为高速开关二极管，要求耐压大于2V+，并具有满足开关频率的要求，评估板上推荐的型号BAV19WS不好买，这里使用了常见的1N4148代替。查阅手册可知，耐压和开关速度方面，1N4148完全符合要求。C7的耐压只需要高于vcc端相对于V一的电压即可，并且最好选用漏电较小的优质铝电解电容或者钽电解电容，其余10uF的电解电容均为nichicon公司的音频专用电容，用作电源退耦和音频耦合。
首先是C12、C13这两个主滤波电容的耐压要高于电源电压，这一点相信大家都会注意到。如果电源电压改变，R3、R12与R17的阻值和功率也要根据计算做出相应变化。R3、R12上的电压为电源电压V+减去5.6V，流过R3、R12的电流约10mA，由此不难估算出其阻值与功率。R17-方面可以减少7812上的功耗，使7812免去对散热器的需求，另一方面可以分去部分电压，避免7812因输入电压过高而损坏。IR公司评估板上使用的是晶体管加稳压二极管组成的串联稳压电路，这种方式不需要考虑输入过压的问题，但调整管需要加散热器。
然后关注一下后级的半桥电路IRF14019。该器件内部集成了两个相同的N沟道音频专用MOS管，这种MOS管是快速恢复型的，响应速度远远高于普通的MOS管，用于高速开关的D类功放中，大大减小了MOS管的开关损耗，提高了效率。当然，这里也可以使用其他型号的音频专用MOS管，如IR公司的DirectFFT系列，但本制作为单面PCB，不宜采用。
接下来说到D类音频功放中最重要的器件——输出滤波电感和电容。首先在参数方面，按图中的参数取值，4Q兔载下的带宽（-ldB）约25kHz，但在80时变化到50kHz。如果要增加带宽，可以适当改变L1与G9的参数．L1可以减小到lOuH。最后我选择了10UH的电感和0.68“F的电容，4Q负载下的带宽约30kHz，8Q时约22kHz（Multisiml0仿真结果）。在介质材料的选择方面，有机薄膜电容适合于用作输出滤波电容，这里选耐压为250V的WIMA电容。电感磁芯的选取是至关重要的，本次制作经过测试验证，最终找到了比较合适的磁芯材料，详细过程将在后文提到。
最后提到二极管和电解电容。图中VD2为高速开关二极管，要求耐压大于2V+，并具有满足开关频率的要求，评估板上推荐的型号BAV19WS不好买，这里使用了常见的1N4148代替。查阅手册可知，耐压和开关速度方面，1N4148完全符合要求。C7的耐压只需要高于vcc端相对于V一的电压即可，并且最好选用漏电较小的优质铝电解电容或者钽电解电容，其余10uF的电解电容均为nichicon公司的音频专用电容，用作电源退耦和音频耦合。
本次制作用到的元器件种THF51T类规格较多，附表为本次制作的元器件清单。需要引起注意的是，我所用的开关电源电压为±30V，表中的元件参数也是在这一条件下给出的，如果电源电压提高，多项参数也需要改变。
首先是C12、C13这两个主滤波电容的耐压要高于电源电压，这一点相信大家都会注意到。如果电源电压改变，R3、R12与R17的阻值和功率也要根据计算做出相应变化。R3、R12上的电压为电源电压V+减去5.6V，流过R3、R12的电流约10mA，由此不难估算出其阻值与功率。R17-方面可以减少7812上的功耗，使7812免去对散热器的需求，另一方面可以分去部分电压，避免7812因输入电压过高而损坏。IR公司评估板上使用的是晶体管加稳压二极管组成的串联稳压电路，这种方式不需要考虑输入过压的问题，但调整管需要加散热器。
然后关注一下后级的半桥电路IRF14019。该器件内部集成了两个相同的N沟道音频专用MOS管，这种MOS管是快速恢复型的，响应速度远远高于普通的MOS管，用于高速开关的D类功放中，大大减小了MOS管的开关损耗，提高了效率。当然，这里也可以使用其他型号的音频专用MOS管，如IR公司的DirectFFT系列，但本制作为单面PCB，不宜采用。
接下来说到D类音频功放中最重要的器件——输出滤波电感和电容。首先在参数方面，按图中的参数取值，4Q兔载下的带宽（-ldB）约25kHz，但在80时变化到50kHz。如果要增加带宽，可以适当改变L1与G9的参数．L1可以减小到lOuH。最后我选择了10UH的电感和0.68“F的电容，4Q负载下的带宽约30kHz，8Q时约22kHz（Multisiml0仿真结果）。在介质材料的选择方面，有机薄膜电容适合于用作输出滤波电容，这里选耐压为250V的WIMA电容。电感磁芯的选取是至关重要的，本次制作经过测试验证，最终找到了比较合适的磁芯材料，详细过程将在后文提到。
最后提到二极管和电解电容。图中VD2为高速开关二极管，要求耐压大于2V+，并具有满足开关频率的要求，评估板上推荐的型号BAV19WS不好买，这里使用了常见的1N4148代替。查阅手册可知，耐压和开关速度方面，1N4148完全符合要求。C7的耐压只需要高于vcc端相对于V一的电压即可，并且最好选用漏电较小的优质铝电解电容或者钽电解电容，其余10uF的电解电容均为nichicon公司的音频专用电容，用作电源退耦和音频耦合。
首先是C12、C13这两个主滤波电容的耐压要高于电源电压，这一点相信大家都会注意到。如果电源电压改变，R3、R12与R17的阻值和功率也要根据计算做出相应变化。R3、R12上的电压为电源电压V+减去5.6V，流过R3、R12的电流约10mA，由此不难估算出其阻值与功率。R17-方面可以减少7812上的功耗，使7812免去对散热器的需求，另一方面可以分去部分电压，避免7812因输入电压过高而损坏。IR公司评估板上使用的是晶体管加稳压二极管组成的串联稳压电路，这种方式不需要考虑输入过压的问题，但调整管需要加散热器。
然后关注一下后级的半桥电路IRF14019。该器件内部集成了两个相同的N沟道音频专用MOS管，这种MOS管是快速恢复型的，响应速度远远高于普通的MOS管，用于高速开关的D类功放中，大大减小了MOS管的开关损耗，提高了效率。当然，这里也可以使用其他型号的音频专用MOS管，如IR公司的DirectFFT系列，但本制作为单面PCB，不宜采用。
接下来说到D类音频功放中最重要的器件——输出滤波电感和电容。首先在参数方面，按图中的参数取值，4Q兔载下的带宽（-ldB）约25kHz，但在80时变化到50kHz。如果要增加带宽，可以适当改变L1与G9的参数．L1可以减小到lOuH。最后我选择了10UH的电感和0.68“F的电容，4Q负载下的带宽约30kHz，8Q时约22kHz（Multisiml0仿真结果）。在介质材料的选择方面，有机薄膜电容适合于用作输出滤波电容，这里选耐压为250V的WIMA电容。电感磁芯的选取是至关重要的，本次制作经过测试验证，最终找到了比较合适的磁芯材料，详细过程将在后文提到。
最后提到二极管和电解电容。图中VD2为高速开关二极管，要求耐压大于2V+，并具有满足开关频率的要求，评估板上推荐的型号BAV19WS不好买，这里使用了常见的1N4148代替。查阅手册可知，耐压和开关速度方面，1N4148完全符合要求。C7的耐压只需要高于vcc端相对于V一的电压即可，并且最好选用漏电较小的优质铝电解电容或者钽电解电容，其余10uF的电解电容均为nichicon公司的音频专用电容，用作电源退耦和音频耦合。
相关技术资料- 6-19元器件选择
- 相关IC型号
- THF51T
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公网安备44030402000607
