使用LT1587CM-2.5不同，漏极电LT1587CM-2.5流不受IDSS的限制，所以不需要过于在意漏极电流的设定值。
    作为电路中使用的MOSFET，应该选择漏极一源极间电压的最大额定值V DSS和栅极一源极间电压的最大额定值V GSS要高于电源电压，漏极电流ID的最大额定值大于流过电路的漏极电流的器件。
    MOSFET有耗尽型和增强型两种器件，耗尽型器件即使栅极电压为OV也有漏极电流流过，是正常导通器件，它也许不适合在开关电路中应用。在使用MOS-FET的开幕电路中，经常采用2SK612之类的增强型器件。
    从传输特性就可以看出耗尽型器件与增强型器件的区别。如图9.6所示，如果VGS-OV时的漏极电流为零则为增强型器件。开关用的MOSFET几乎都是增强型器件。
    MOSFET器件中又分N沟型和P沟型两种。图9.7是用P沟MOSFET构成的源极接地型开关电路。与图9.5相比较它把电源与GND相互调换。但是P沟MOSFET的品种比N沟器件少得多，所以器件选择的自由度小。
    这里按照VDSS >+5V，VGSS>+5V，ID >5mA的条件选择功率开关用N沟MOSFET 2SK612(NEC)。
    表9.1是2SK612的性能参数。2SK612是作者常用的开关用MOSFET，在这个电路中也使用它。不过从表9.1可以看出这种器件对于图9.5的电路也许有些浪费。其实在这个电路中也可以使用功率容量小一些的器件。

    双极晶体管采用达林顿连接可以提高电流增益。对于FET来说，由于没有栅极电流流动，所以没有必要采用达林顿连接形式。因此即使对于流过大漏极电流的功率MOSFET器件，也可以用输出电流小的TTL或者CMOS逻辑电路直接驱动。
    但是功率容量大的MOSFET的输入电容也大，所以在进行高速开关的场合必须降低驱动电路的输出阻抗（为了能够使器件的输入电容高速充放电）。