图13.14是开关器件SP3494CN-L采用P沟JFET的模拟开关电路。P沟JFET的VGS为某一正电压时器件截止，图13.14的电平变换电路就变成PNP晶体管发射极接地开关电路，所以电路的结构非常简单。电路的动作过程是当副。-OV时Tr2导通，Tri的栅极电位固定在+5V，则Tri截止（开关断开）。
    JFET的选择方法与图13.6昀电路相同，只是把N沟器件换为P沟器件。但是P沟JFET的缺点是品种比N沟器件少（价格也高），而且gm也小。图13.14的电路中使用的是栅极一漏极间电压最大额定值VCDS=50V，IDSS=-1.2～4mA,-1.2～-3OmA，GR档-2.6～-6.5mA）的通用JFET2SJ105-Y,GR。
    如果图13.14的电路像图13.15那样把电平变换电路用电阻内藏晶体管置换，就会减少电路中的元件数目，使电路变得简单（当然图13.6的电路如果采用电阻内藏晶体管，也会变得更简单）。