负载电流（发射极电流）的指标是5mA，所以晶ADE-25MH体管的集电极电流（一发射极电流）的最大额定值必须大于5mA。因为必须由4000B系列CMOS IC提供基极电流，所以为了将基极电流抑制在O.lmA（一般不怎么能够从4000B系列CMOSIC中取出电流），而负载电流是5mA，所以hFE必须在50(一5mAlO. ImA)以上。
    另外，晶体管处于截止状态时电源电压(在这里是+5V)是加在集电极一发射极间和集电极一基极间，所以所选择晶体管的集电极一发射极间和集电极一基极间的最大额定值VCEO、CBO必须大于电源电压。
    按照Ic>5mA，hFE>50．VCEO>5V，VCBO>5V的条件，与发射极接地时情况相同选择2SC2458（东芝）。当然使用PNP晶体管也无妨，不过这时的电路变成图8.20所示的那样。
    开路发射极的设计也完全相同，由加在外部负载上的电压以及从输出端（发射极）流出或者吸入的最大负载电流为根据选择晶体管。
    射极跟随器型开关电路的负载电流原封不动地就是发射极电流，所以必须给输入端提供它的l/hFE的基极电流。但是当负载电流大时，有可能无法提供驱动输入端电路所必要的基极电流。
    在这种情况下，仍然和发射极接地时的办法一样，或者采用超p晶体管，或者如图8.21所示将晶体管达林顿连接使用。但是，达林顿连接时需要注意发射极电位要比基极电位低1.2～1.4V(两个VBE)。
    射极跟随器型开关电路中当晶体管处于导通状态时，发射极电位比基极电位低0.6～0.7V。因此，即使基极电位与集电极电位（即电源电压）相等，晶体管的集电极一发射极间电压还是0.6～0.7V(达林顿连接时是1.2～1.4V)。这个VCE与集电极电流（一发射极电流）之积就是晶体管的热损耗，所以当负载电流大时应该注意晶体管的发热问题。