图2.11是图2.1电路中TMS320F28027PTT使用的N沟JFET 2SK184（东芝）的传输特性。图中的多根曲线说明器件特性存在分散性。

    实际的FET的漏极饱和电流IDSS具有较大的分散性。由于IDSS的原因，使得ID为零时的电压——夹断电压V。也有变化。
    双极晶体管的特性是按直流电流放大系数值hFE分档次的。但是对于FET不是按跨导g。而是按IDSS区分档次。gM与IDSS之间有关系，IDSS愈大，gM也愈大（如果是同型号的FET，IDSS愈大，传输特性曲线的斜率愈大，因而gm也大）。
    表2.1是2SK184的IDSS各档次。东芝器件的IDSS、^FE的档次是用Y（黄）、R（红）等颜色标记的。有的公司是用罗马字母标记的。