双极晶体管是以流过的基MSP430F149IRTDT极电流IB控制集电极电流IC，所以IB与IC之比一直流电流放大系数hFE就成为器件的重要特性。
    对于FET，如图2.10所示，是通过改变栅极一源极间电压VGS控制漏极电流ID的，所以VGS与JD之比就成为器件的重要特性。把这个比值称为跨导gM（也叫做正向传输导纳YFS），用下式表示：

                    
   
    式中，AVcs为VGS的变化量，AID为，D的变化量。
    输特性中曲线的斜率相当于gm，它的单位是电流与电压之比，即S（西[门子]）。
    gm意味着当输入电压(VGS)变化时输出电流(ID)会有多大的变化，可以认为是器件本身电流对电压的增益。在使用FET的放大电路中，gm愈大则电路的增益愈大，具有能够减小输出阻抗的优点。
    但是，gm大的FET存在着输入电容大因而高频特性差，流过栅极的漏电流大（输入阻抗低）等缺点。