图2. 26是使用了NPN晶体管与负电源LC75410ES-E的共发射极放大电路。只有在负电源的情况下，才必须采用该电路。
    即使使用负电源，基本的电路结构却完全没有变化。与使用正电源电路的不同之处，在于正电源为GND，GND成为负电源。而在使用负电源的电路中，必须注意电解电容的极性。

                    
    在图2. 26中，输入输出信号是以GND为基准的。所以，比起输入输出端电路的电位变低，耦合电容的极性在输入输出端为正极性。如果电路中前后级电路也是由负电源构成时，必须考虑由耦合电路的直流电位来决定耦合电容的极性。
    因为发射极电位比GND要低，所以GND -边为正极性。
    图2. 26的电路是在发射极端直接用电容接地，所以电路的增益为“所用的晶体管能实现的最大增益”。由于使用了hf。大的超p晶体管2SC3113（东芝），故而该电路的增益非常大。
    如果没有必要获取那么大的增益，可将发射极接地的电容去掉，调节发射极电阻与集电极电阻的阻值来设定增益。另外，此时也可用通用的晶体管。