消除铝的电迁移失效模式的可靠性设计
发布时间:2012/5/6 15:31:13 访问次数:1097
铝、金等导体离子在宣流电场作用下LTV-817S的电迁移是金属离子与空位沿相对方向进行的扩散过程。只有在迁移的离子流发散时电迁移才导致损害，微观结构的不连续性如晶界会合的三重点和缺陷中心等都会使离子流发散而形成空洞，它使局部阻值增大甚至导致开路。
铝膜的几何形状、组分、微观结构以及成膜工艺都会影响其电迁移失效。细长的铝膜较易发生电迁移，特别是长超过lcm、宽小于3tLm的铝条很容易出现电迁移现象。晶粒较大的铝膜因其晶界发散点较少所以电迁移失效率低于细晶粒铝膜。
抑制铝膜电迁移失效的方法有多种如退火、加Cr或S102类覆盖膜等，其中比较简便而有效的方法是合金化，即在铝中加入少量Cu，Mg、Co、Ni等。合金化可以很有效地抑制铝的扩散，例如掺Cu可使140～250℃间的晶界扩散速率降低2个数量级；掺2%Cu的铝膜在200℃时的寿命比粗晶铝高16倍，比细晶铝高35倍。
消除LiNb03晶片的微裂失效模式的可靠性设计
LiNb03晶片的微裂常常出现在IDT的指条边上或波导一喇叭口间的金属条边上，它与这种晶体所固有的铁电性、热电性和压电性有关。这种缺陷不能完全通过退火和极化来消除。
为防止LiNb03晶片的微裂，可用很薄的高阻膜覆盖晶片的自由表面。同时，在压电晶片的加工和检验过程中都需要特别细致精心。
铝膜的几何形状、组分、微观结构以及成膜工艺都会影响其电迁移失效。细长的铝膜较易发生电迁移，特别是长超过lcm、宽小于3tLm的铝条很容易出现电迁移现象。晶粒较大的铝膜因其晶界发散点较少所以电迁移失效率低于细晶粒铝膜。
抑制铝膜电迁移失效的方法有多种如退火、加Cr或S102类覆盖膜等，其中比较简便而有效的方法是合金化，即在铝中加入少量Cu，Mg、Co、Ni等。合金化可以很有效地抑制铝的扩散，例如掺Cu可使140～250℃间的晶界扩散速率降低2个数量级；掺2%Cu的铝膜在200℃时的寿命比粗晶铝高16倍，比细晶铝高35倍。
消除LiNb03晶片的微裂失效模式的可靠性设计
LiNb03晶片的微裂常常出现在IDT的指条边上或波导一喇叭口间的金属条边上，它与这种晶体所固有的铁电性、热电性和压电性有关。这种缺陷不能完全通过退火和极化来消除。
为防止LiNb03晶片的微裂，可用很薄的高阻膜覆盖晶片的自由表面。同时，在压电晶片的加工和检验过程中都需要特别细致精心。
铝、金等导体离子在宣流电场作用下LTV-817S的电迁移是金属离子与空位沿相对方向进行的扩散过程。只有在迁移的离子流发散时电迁移才导致损害，微观结构的不连续性如晶界会合的三重点和缺陷中心等都会使离子流发散而形成空洞，它使局部阻值增大甚至导致开路。
铝膜的几何形状、组分、微观结构以及成膜工艺都会影响其电迁移失效。细长的铝膜较易发生电迁移，特别是长超过lcm、宽小于3tLm的铝条很容易出现电迁移现象。晶粒较大的铝膜因其晶界发散点较少所以电迁移失效率低于细晶粒铝膜。
抑制铝膜电迁移失效的方法有多种如退火、加Cr或S102类覆盖膜等，其中比较简便而有效的方法是合金化，即在铝中加入少量Cu，Mg、Co、Ni等。合金化可以很有效地抑制铝的扩散，例如掺Cu可使140～250℃间的晶界扩散速率降低2个数量级；掺2%Cu的铝膜在200℃时的寿命比粗晶铝高16倍，比细晶铝高35倍。
消除LiNb03晶片的微裂失效模式的可靠性设计
LiNb03晶片的微裂常常出现在IDT的指条边上或波导一喇叭口间的金属条边上，它与这种晶体所固有的铁电性、热电性和压电性有关。这种缺陷不能完全通过退火和极化来消除。
为防止LiNb03晶片的微裂，可用很薄的高阻膜覆盖晶片的自由表面。同时，在压电晶片的加工和检验过程中都需要特别细致精心。
铝膜的几何形状、组分、微观结构以及成膜工艺都会影响其电迁移失效。细长的铝膜较易发生电迁移，特别是长超过lcm、宽小于3tLm的铝条很容易出现电迁移现象。晶粒较大的铝膜因其晶界发散点较少所以电迁移失效率低于细晶粒铝膜。
抑制铝膜电迁移失效的方法有多种如退火、加Cr或S102类覆盖膜等，其中比较简便而有效的方法是合金化，即在铝中加入少量Cu，Mg、Co、Ni等。合金化可以很有效地抑制铝的扩散，例如掺Cu可使140～250℃间的晶界扩散速率降低2个数量级；掺2%Cu的铝膜在200℃时的寿命比粗晶铝高16倍，比细晶铝高35倍。
消除LiNb03晶片的微裂失效模式的可靠性设计
LiNb03晶片的微裂常常出现在IDT的指条边上或波导一喇叭口间的金属条边上，它与这种晶体所固有的铁电性、热电性和压电性有关。这种缺陷不能完全通过退火和极化来消除。
为防止LiNb03晶片的微裂，可用很薄的高阻膜覆盖晶片的自由表面。同时，在压电晶片的加工和检验过程中都需要特别细致精心。
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