IDT的二阶效应
发布时间:2012/5/6 14:53:15 访问次数:606
由于IDT实际上存在着体波效应、声表面AT25016-3波的衍射、高阶响应、声表面波波导效应、电极的末端效应、声电再生、电极电阻、直通信号以及基片的端面反射信号等二阶效应，无论按哪种模型设计必然都偏离理想特性。因此，反过来需对IDT进行修正以补偿各种二阶效应。
抑制IDT的二阶效应可采取：
①准确分析建立更完善的模型、将衍射效应、末端效应和机电再生、质量负载考虑在模型中，可采用补偿设计降低声表面波上述效应的影响。
②降低换能器的负载阻抗和采用机电耦合系数低的基片材料，减弱声电再生效应的影响。采用电极宽度控制单相单向换能器( EWC/SPUDT)，避免过低负载阻抗引起换能器失配，造成器件插入损耗的增大。
③粗糙基片背面发散激发的体波、基片背面开槽阻断体波的传播路径，克服IDT的体波效应。
抑制IDT的二阶效应可采取：
①准确分析建立更完善的模型、将衍射效应、末端效应和机电再生、质量负载考虑在模型中，可采用补偿设计降低声表面波上述效应的影响。
②降低换能器的负载阻抗和采用机电耦合系数低的基片材料，减弱声电再生效应的影响。采用电极宽度控制单相单向换能器( EWC/SPUDT)，避免过低负载阻抗引起换能器失配，造成器件插入损耗的增大。
③粗糙基片背面发散激发的体波、基片背面开槽阻断体波的传播路径，克服IDT的体波效应。
由于IDT实际上存在着体波效应、声表面AT25016-3波的衍射、高阶响应、声表面波波导效应、电极的末端效应、声电再生、电极电阻、直通信号以及基片的端面反射信号等二阶效应，无论按哪种模型设计必然都偏离理想特性。因此，反过来需对IDT进行修正以补偿各种二阶效应。
抑制IDT的二阶效应可采取：
①准确分析建立更完善的模型、将衍射效应、末端效应和机电再生、质量负载考虑在模型中，可采用补偿设计降低声表面波上述效应的影响。
②降低换能器的负载阻抗和采用机电耦合系数低的基片材料，减弱声电再生效应的影响。采用电极宽度控制单相单向换能器( EWC/SPUDT)，避免过低负载阻抗引起换能器失配，造成器件插入损耗的增大。
③粗糙基片背面发散激发的体波、基片背面开槽阻断体波的传播路径，克服IDT的体波效应。
抑制IDT的二阶效应可采取：
①准确分析建立更完善的模型、将衍射效应、末端效应和机电再生、质量负载考虑在模型中，可采用补偿设计降低声表面波上述效应的影响。
②降低换能器的负载阻抗和采用机电耦合系数低的基片材料，减弱声电再生效应的影响。采用电极宽度控制单相单向换能器( EWC/SPUDT)，避免过低负载阻抗引起换能器失配，造成器件插入损耗的增大。
③粗糙基片背面发散激发的体波、基片背面开槽阻断体波的传播路径，克服IDT的体波效应。
相关技术资料- 5-6IDT的二阶效应
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