诱生层错对Si器件的影响及其工艺控制
发布时间:2012/4/27 19:40:45 访问次数:1221
诱生层错可分为氧化层错和外延层错。诱生层错DSEP8-12A主要是由晶片表面机械损伤、杂质沾污、晶体生长缺陷引起的。氧化层错与杂质淀积交互作用可引起器件性能退化，反向电流增加。层错对硼、P杂质扩散起堵塞作用，使扩散结面不平整，降低了击穿电压，增大了反向漏电流，层错也可能增加扩散，使绪面局部突出，造成二次击穿和局部通路。重金属杂质在层错处的淀积也能引起器件软击穿、漏电流增大。外延层错主要是由外延衬底的机械损伤和污染诱发而产生的，外延层错对P-N结反向漏电流影响很大。控制和消除诱生层错的方法是：
①在衬底制备工艺中，尽量消除切片、磨片、抛光等工序引入的机械损伤，这种损伤可分为多晶层、裂纹层和弹性畸变层。采用电子衍射和X射线衍射法可探测出加工畸变层的深度，采用化学腐蚀方法可有效去除这些畸变层。
②晶片预退火处理，例如在氢气和氮气中高温处理后，层错密度可降低两个数量级。
③在吸收处理中，采用PSG、错配位错、离子注入损伤（背面）和人为机械损伤都可有效吸收层错。
④气相腐蚀可蚀去表面微氧化斑，消除氧化层错和外延层错。
⑤在氧化时通人适量氯气，可降低界面密度、消除氧化层错。
⑥外延后，在适当温度下退火，可减少层错密度。
①在衬底制备工艺中，尽量消除切片、磨片、抛光等工序引入的机械损伤，这种损伤可分为多晶层、裂纹层和弹性畸变层。采用电子衍射和X射线衍射法可探测出加工畸变层的深度，采用化学腐蚀方法可有效去除这些畸变层。
②晶片预退火处理，例如在氢气和氮气中高温处理后，层错密度可降低两个数量级。
③在吸收处理中，采用PSG、错配位错、离子注入损伤（背面）和人为机械损伤都可有效吸收层错。
④气相腐蚀可蚀去表面微氧化斑，消除氧化层错和外延层错。
⑤在氧化时通人适量氯气，可降低界面密度、消除氧化层错。
⑥外延后，在适当温度下退火，可减少层错密度。
诱生层错可分为氧化层错和外延层错。诱生层错DSEP8-12A主要是由晶片表面机械损伤、杂质沾污、晶体生长缺陷引起的。氧化层错与杂质淀积交互作用可引起器件性能退化，反向电流增加。层错对硼、P杂质扩散起堵塞作用，使扩散结面不平整，降低了击穿电压，增大了反向漏电流，层错也可能增加扩散，使绪面局部突出，造成二次击穿和局部通路。重金属杂质在层错处的淀积也能引起器件软击穿、漏电流增大。外延层错主要是由外延衬底的机械损伤和污染诱发而产生的，外延层错对P-N结反向漏电流影响很大。控制和消除诱生层错的方法是：
①在衬底制备工艺中，尽量消除切片、磨片、抛光等工序引入的机械损伤，这种损伤可分为多晶层、裂纹层和弹性畸变层。采用电子衍射和X射线衍射法可探测出加工畸变层的深度，采用化学腐蚀方法可有效去除这些畸变层。
②晶片预退火处理，例如在氢气和氮气中高温处理后，层错密度可降低两个数量级。
③在吸收处理中，采用PSG、错配位错、离子注入损伤（背面）和人为机械损伤都可有效吸收层错。
④气相腐蚀可蚀去表面微氧化斑，消除氧化层错和外延层错。
⑤在氧化时通人适量氯气，可降低界面密度、消除氧化层错。
⑥外延后，在适当温度下退火，可减少层错密度。
①在衬底制备工艺中，尽量消除切片、磨片、抛光等工序引入的机械损伤，这种损伤可分为多晶层、裂纹层和弹性畸变层。采用电子衍射和X射线衍射法可探测出加工畸变层的深度，采用化学腐蚀方法可有效去除这些畸变层。
②晶片预退火处理，例如在氢气和氮气中高温处理后，层错密度可降低两个数量级。
③在吸收处理中，采用PSG、错配位错、离子注入损伤（背面）和人为机械损伤都可有效吸收层错。
④气相腐蚀可蚀去表面微氧化斑，消除氧化层错和外延层错。
⑤在氧化时通人适量氯气，可降低界面密度、消除氧化层错。
⑥外延后，在适当温度下退火，可减少层错密度。
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- 4-27诱生层错对Si器件的影响及其工艺控制
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