极限条件下的可靠性设计
发布时间:2012/4/26 19:56:22 访问次数:1116
极限条件也称为特殊使用SR3100条件下的工作模式。如：高压小电流工作模式，低压强电流工作模式，脉冲功率晶体管在临近安全工作区边界的工作条件下，很容易诱发正偏二次击穿，在大电感负载下很容易触发反偏差二次击穿。静电放电效应对硅和GaAs、InP微波低噪声器件、小功率MOSFET的可靠性带来极大威胁，它可使双极器件EB结烧毁，GaAsFET肖特基势垒破坏，MOSFET栅介质击穿等。为提高工作于特殊使用条件下器件的适应能力，应作相应的可靠性设计。
长寿命设计
工作于宇航、长寿命卫星、海底电缆、高山无人值守的微波中继站等场合的电子装备，用于维修替换困难，要求用于这些系统中的半导体器件具有高可靠、长寿命。长寿命与高可靠具有密切联系，但高可靠的器件不一定具有“长寿命”。因此，
在器件设计时，应设法延长“浴盆曲线”的底部时间，降低失效率(A)。影响器件长寿命的因素很多，如芯片上的金属化系统电迁移效应，微波功率器件的峰值结温，低频大功率器件的热疲劳效应，与时间相关的MOS器件栅介质击穿效应，金属间界面互扩散效应（内引线键合点、芯片焊结点、多层金属化界面处）等。这些物理效应都会影响半导体器件的工作寿命或储存寿命。为此，工作于长寿命电子系统中的半导体器件必须进行高可靠长寿命设计。
长寿命设计
工作于宇航、长寿命卫星、海底电缆、高山无人值守的微波中继站等场合的电子装备，用于维修替换困难，要求用于这些系统中的半导体器件具有高可靠、长寿命。长寿命与高可靠具有密切联系，但高可靠的器件不一定具有“长寿命”。因此，
在器件设计时，应设法延长“浴盆曲线”的底部时间，降低失效率(A)。影响器件长寿命的因素很多，如芯片上的金属化系统电迁移效应，微波功率器件的峰值结温，低频大功率器件的热疲劳效应，与时间相关的MOS器件栅介质击穿效应，金属间界面互扩散效应（内引线键合点、芯片焊结点、多层金属化界面处）等。这些物理效应都会影响半导体器件的工作寿命或储存寿命。为此，工作于长寿命电子系统中的半导体器件必须进行高可靠长寿命设计。
极限条件也称为特殊使用SR3100条件下的工作模式。如：高压小电流工作模式，低压强电流工作模式，脉冲功率晶体管在临近安全工作区边界的工作条件下，很容易诱发正偏二次击穿，在大电感负载下很容易触发反偏差二次击穿。静电放电效应对硅和GaAs、InP微波低噪声器件、小功率MOSFET的可靠性带来极大威胁，它可使双极器件EB结烧毁，GaAsFET肖特基势垒破坏，MOSFET栅介质击穿等。为提高工作于特殊使用条件下器件的适应能力，应作相应的可靠性设计。
长寿命设计
工作于宇航、长寿命卫星、海底电缆、高山无人值守的微波中继站等场合的电子装备，用于维修替换困难，要求用于这些系统中的半导体器件具有高可靠、长寿命。长寿命与高可靠具有密切联系，但高可靠的器件不一定具有“长寿命”。因此，
在器件设计时，应设法延长“浴盆曲线”的底部时间，降低失效率(A)。影响器件长寿命的因素很多，如芯片上的金属化系统电迁移效应，微波功率器件的峰值结温，低频大功率器件的热疲劳效应，与时间相关的MOS器件栅介质击穿效应，金属间界面互扩散效应（内引线键合点、芯片焊结点、多层金属化界面处）等。这些物理效应都会影响半导体器件的工作寿命或储存寿命。为此，工作于长寿命电子系统中的半导体器件必须进行高可靠长寿命设计。
长寿命设计
工作于宇航、长寿命卫星、海底电缆、高山无人值守的微波中继站等场合的电子装备，用于维修替换困难，要求用于这些系统中的半导体器件具有高可靠、长寿命。长寿命与高可靠具有密切联系，但高可靠的器件不一定具有“长寿命”。因此，
在器件设计时，应设法延长“浴盆曲线”的底部时间，降低失效率(A)。影响器件长寿命的因素很多，如芯片上的金属化系统电迁移效应，微波功率器件的峰值结温，低频大功率器件的热疲劳效应，与时间相关的MOS器件栅介质击穿效应，金属间界面互扩散效应（内引线键合点、芯片焊结点、多层金属化界面处）等。这些物理效应都会影响半导体器件的工作寿命或储存寿命。为此，工作于长寿命电子系统中的半导体器件必须进行高可靠长寿命设计。
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