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冗余设计

发布时间:2012/4/26 19:58:04 访问次数:1632

    由于半导体分立器件的局部HT1381结构薄弱引起的失效模式可以用冗余设计的方法来加以控制。冗余设计主要是指器件安全工作区的设计。对于双极型低频大功率管、高压晶体管、超高频及微波功率管,安全工作区的设计显得特别重要。其中包括器件最大集电极电流的容限设计,在热设计方面包括平均结温及峰值结温计算、测量及其内热阻的研究,微波器件p。及动态工作时p。的研究。在扩大安全工作区的研究中还包括抗二次击穿镇流电阻研究、功率均分微波肉匹配网络研究及提高微波脉冲功率管耐压研究。一般失效模式是串联的用并联冗余结构控制,失效模式是并联的则用串联冗余结构控制。如引线断裂的失效模式可用并联的两条引线结构来控制,二极管击穿引起的IC失效可用两个二极管串联的结构来控制。总之,冗余设计的目的是使实际工作区远离安全工作的极限边界,从而提高半导体器件的可靠性。
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