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结型场效应晶体管的特性与参数

发布时间:2011/12/15 14:43:05 访问次数:1068

      在这一节,我们将学习如何使用JFET作为电压控制的定电流元件。FDN305我们也能学习关于JFET的截止、夹断和转换特性。
    在学完本节后,我们应该能够:定义、讨论和应用重要的JFET参数;解释可变电阻区、恒流区和击穿区;定义夹断电压( pinch-off voltage);说明栅极一源极电压如何控制漏极电流;定义截止电压(cutoff voltage);比较夹断与截止的差异;分析JFET转换特性曲线;使用转换特性公式计算ID;使用JFET特性数据表;定义跨导(transconductance);说明和计算输入电阻与电容;计算漏极一源极电阻。
    考虑栅极对源极电压是0的情况(VGS=OV)。要产生这种情况,可以将栅极和源极之间短路,如图7.5(a)中两者都接地。当VDD(VDS)也是)从OV开始增加,J。将按比例随着增加,如图7.5(b)中A点到B点的曲线。在这个区域,因为耗尽区尚未大到有显著影响,基本上通道电阻是常数。因为VDS与ID的关系满足欧姆定律,此区域称为可变电阻区。
    曲线在B点进入平坦区域,工。基本上保持固定。当VDS从B点增加到C点,栅极对漏极的反向偏压VCD造成的耗尽区,已经大到足以抵消VDS增加产生的效应,所以ID保持某种程度的固定值。

            

 

      在这一节,我们将学习如何使用JFET作为电压控制的定电流元件。FDN305我们也能学习关于JFET的截止、夹断和转换特性。
    在学完本节后,我们应该能够:定义、讨论和应用重要的JFET参数;解释可变电阻区、恒流区和击穿区;定义夹断电压( pinch-off voltage);说明栅极一源极电压如何控制漏极电流;定义截止电压(cutoff voltage);比较夹断与截止的差异;分析JFET转换特性曲线;使用转换特性公式计算ID;使用JFET特性数据表;定义跨导(transconductance);说明和计算输入电阻与电容;计算漏极一源极电阻。
    考虑栅极对源极电压是0的情况(VGS=OV)。要产生这种情况,可以将栅极和源极之间短路,如图7.5(a)中两者都接地。当VDD(VDS)也是)从OV开始增加,J。将按比例随着增加,如图7.5(b)中A点到B点的曲线。在这个区域,因为耗尽区尚未大到有显著影响,基本上通道电阻是常数。因为VDS与ID的关系满足欧姆定律,此区域称为可变电阻区。
    曲线在B点进入平坦区域,工。基本上保持固定。当VDS从B点增加到C点,栅极对漏极的反向偏压VCD造成的耗尽区,已经大到足以抵消VDS增加产生的效应,所以ID保持某种程度的固定值。

            

 

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