结型场效晶体管(JFET)是利用控制PN结的反向偏压，K4S161622D-TC70来控制通道电流的场效晶体管。按照它们的结构，JFET可以分成两种：N沟道和P沟道。
    在学完本节后，我们应该能够：解释JFET的工作原理；辨识JFET的三个端点；解释何谓沟道；描述N沟道JFET和P沟道JFET在结构上的差异；参与讨论电压如何控制JFET中的电流；辨别代表N沟道和P沟道JFET的符号。
    图7.1(a)显示出N沟道结型场效晶体管(junction field-effect transistor，JFET)的基本构造。沟道的两端都接上导线，在顶端的是漏极( drain)，源极(source)则在底端。两个P型区域扩散进入N型基质中，形成沟道(channel)，而且两个P型区域都连接到栅极(gate)。为了简化图形，图中只显示一个P型区域连接到栅极。

                   
    1.基本工作原理
    为说明JFET的工作原理，将N沟道装置加上直流电压，如图7.2所示。提供漏极和源极间电压，并形成漏极到源极间的电流。而使得栅极和源极间形成反向偏压，如图所示。

                        
    JFET工作时，栅极和源极间的PN结都是反向偏压。栅极接上负电压会造成栅源极反向偏压，在PN结上形成耗尽区，耗尽区会侵入N沟道，因此缩减了沟道宽度，增加了沟道的电阻值。
    改变栅极电压，就能控制沟道的宽度，也因此能控制沟道的电阻，最终达到控制漏极电流的目的，图7.3说明这样的概念。白色区域代表反向偏压下产生的耗尽区。往漏极方向的耗尽区比往源极方向宽，这是因为栅极和源极间反向偏压，比栅极和源极间大。

                
    2.JFET符号
    N沟道和P沟道结型场效晶体管的图形符号，显示在图7.4中。请注意，栅极上箭头符号在N沟道是“向内”，在P沟道是“向外”.