TTL与非门电路工作状态与组成
发布时间:2011/9/6 10:51:29 访问次数:5016
(一)TTL与非门电路是怎样组成的? K1060
图11-6是集成TTL与非门电路及其逻辑符号。VT1为多发射极晶体管,它和R1构成电路的输入级,实现与逻辑功能。VT2和R2、R3组成中间级,其作用是从VT2的集电极和发射极同时输出两个相位相反的信号,分别驱动VT3和VT5管。VT3、VT4、VT5和R4、R5组成输出级,直接驱动负载,以提高电路带负载的能力。
图11-7是常用的2输入4与非门74LSOO的管脚排列图,其内部各与非门相互独立,可以单独使用。
(二)TTL与非门电路是怎样工作的?
在图11-6所示的电路中,当输入端有一个(或几个)为低电平(约0.3V)时,VT1管的基极与接低电平的发射极间处于正向偏置,电源通过R1为VT1管提供基极电流。VT1的基极电位约为0.3V+O.7V=1V,其集电极电位为0.3V, VT2和VT5管均截止。由于VT2截止,其集电极电位接近于电源电压(+5V),VT3. VT4管导通,输出端F的电位为
VF=VCC-IB3R2-UBE3-UBE4
因为IB3很小,可忽略不计,则
VF=5V-0.7V-O.7V=3.6V
即输出端为高电平。
当输入端全为高电平(3.6V)时,VT1管的基极电位足以使VT1的集电结、VT2和VT5的发射结均处于导通状态,所以VT1的基极电位
VBl=UBCl+UBE2+UBE5=2.1V
使VT1的几个发射结均处于反向偏置,电源通过R1和VT1管的集电结向VT2提供足够的基极电流,使VT2鲍和,VT2的发射极电流在R3上产生的压降,又为VT5提供足够的基极电流,使VT5饱和,输出端的电位
VF=0.3V
即输出为低电平。
(一)TTL与非门电路是怎样组成的? K1060
图11-6是集成TTL与非门电路及其逻辑符号。VT1为多发射极晶体管,它和R1构成电路的输入级,实现与逻辑功能。VT2和R2、R3组成中间级,其作用是从VT2的集电极和发射极同时输出两个相位相反的信号,分别驱动VT3和VT5管。VT3、VT4、VT5和R4、R5组成输出级,直接驱动负载,以提高电路带负载的能力。
图11-7是常用的2输入4与非门74LSOO的管脚排列图,其内部各与非门相互独立,可以单独使用。
(二)TTL与非门电路是怎样工作的?
在图11-6所示的电路中,当输入端有一个(或几个)为低电平(约0.3V)时,VT1管的基极与接低电平的发射极间处于正向偏置,电源通过R1为VT1管提供基极电流。VT1的基极电位约为0.3V+O.7V=1V,其集电极电位为0.3V, VT2和VT5管均截止。由于VT2截止,其集电极电位接近于电源电压(+5V),VT3. VT4管导通,输出端F的电位为
VF=VCC-IB3R2-UBE3-UBE4
因为IB3很小,可忽略不计,则
VF=5V-0.7V-O.7V=3.6V
即输出端为高电平。
当输入端全为高电平(3.6V)时,VT1管的基极电位足以使VT1的集电结、VT2和VT5的发射结均处于导通状态,所以VT1的基极电位
VBl=UBCl+UBE2+UBE5=2.1V
使VT1的几个发射结均处于反向偏置,电源通过R1和VT1管的集电结向VT2提供足够的基极电流,使VT2鲍和,VT2的发射极电流在R3上产生的压降,又为VT5提供足够的基极电流,使VT5饱和,输出端的电位
VF=0.3V
即输出为低电平。
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