khan等人[25]在1992年报道了第一支高质量gan材料光电导探测器，它以蓝宝石为衬底通过金属有机化学气相淀积（mocvd）方法生长而成。光响应波长为200～365 nm，在365nm处最高增益达6×103。在5 v的偏压下响应度最高可达2000 a/w。随后，由于51材料成熟的工艺技术且易于集成等优点，人们试图将gan材料生长在si衬底上以利于和电子器件的集成。stevens等人⒓刨在51衬底上生长p型gan薄膜，但光响应度较低，在14v偏压下最高响应度只有30 a/w。由于si和gan之间大的晶格失配（17%）和热失配（20%），若直接在51衬底上生长gan则会由于晶格失配位错等原因严重影响器件性能。为了解决这一问 题，人们使用缓冲层，如图1所示。在s1（111）方向上先用mocvd方法生长ain缓冲层，然后在ain缓冲层上生长gan，最后用真空淀积的方法淀积金属制作欧姆接触。此外，还可以在6h-sic衬底上生长gan获得较高响应度的光电导型探测器。

　　图1 采用si衬底利用ain做缓冲层的光导型探测器

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