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GaN基肖特基结构紫外光电探测器

发布时间:2008/12/3 0:00:00 访问次数:771

  gan光电导型探测器的最大缺点是光电导的持续性,即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失,此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下,gan基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。第一支gan基肖特基紫外光电探测器于1993年被提出四,它具有如图1(a)所示的结构:它也是在蓝宝石衬底上外延生长gan,通过掺杂mg实现p型掺杂,最后再淀积电极形成肖特基势垒和欧姆接触,图中ti/au为肖特基接触,cr/au为欧姆接触。零偏压下光响应是0.13a/w,响应时间大约为1us,光谱响应也为200~365 nm。chen等人[28]剐改用n-gan制作了如图1(b)所示的结构,首先在蓝宝石称底上生长ain缓冲层,接着生长载流子浓度为3×to':-qcm的n+ ̄gan,然后生长载流子浓度为3×103cm 3的n-gan,最后电子束蒸发形成欧姆接触和肖特基结。此光电探测器在5 v反向偏压下响应度为18a/w,响应的量子效率超过65%,在负载电阻为50ω时光响应时间为118 ns。

  图1 gan基肖特基结构紫外光电探测器

  欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com)



  gan光电导型探测器的最大缺点是光电导的持续性,即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失,此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下,gan基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。第一支gan基肖特基紫外光电探测器于1993年被提出四,它具有如图1(a)所示的结构:它也是在蓝宝石衬底上外延生长gan,通过掺杂mg实现p型掺杂,最后再淀积电极形成肖特基势垒和欧姆接触,图中ti/au为肖特基接触,cr/au为欧姆接触。零偏压下光响应是0.13a/w,响应时间大约为1us,光谱响应也为200~365 nm。chen等人[28]剐改用n-gan制作了如图1(b)所示的结构,首先在蓝宝石称底上生长ain缓冲层,接着生长载流子浓度为3×to':-qcm的n+ ̄gan,然后生长载流子浓度为3×103cm 3的n-gan,最后电子束蒸发形成欧姆接触和肖特基结。此光电探测器在5 v反向偏压下响应度为18a/w,响应的量子效率超过65%,在负载电阻为50ω时光响应时间为118 ns。

  图1 gan基肖特基结构紫外光电探测器

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