光生载流子产生率
发布时间:2008/12/3 0:00:00 访问次数:1465
考虑到入射光在表面的反射率为r，则半导体表面（y=0）处光强p0，为
式中， popt为入射光强度，这时半导体中的光吸收由式（3－6）改写成：
入射光能量hv>eg时，光强在半导体中由于本征吸收呈指数形式衰减，吸收所产生的电子－空穴对的产生率g（y）可以表示为
式中， a为入射光横截面积，hv为光子能量。当△y很小趋于零时，（p（y）－p｛y＋△y｝））/a）=－dp（y）/dy，同时由式（3-8）得dp（y）/dy＝－ap（y），因此每单位体积的电子ˉ空穴对产生率g（y）可以进一步表示为
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式中， popt为入射光强度，这时半导体中的光吸收由式（3－6）改写成：
入射光能量hv>eg时，光强在半导体中由于本征吸收呈指数形式衰减，吸收所产生的电子－空穴对的产生率g（y）可以表示为
式中， a为入射光横截面积，hv为光子能量。当△y很小趋于零时，（p（y）－p｛y＋△y｝））/a）=－dp（y）/dy，同时由式（3-8）得dp（y）/dy＝－ap（y），因此每单位体积的电子ˉ空穴对产生率g（y）可以进一步表示为
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