gaas基可见光电探测器及ingaas/lngaasp基长波长光电探测器不同，gan基紫外光电探测器的光响应波长是200～360 nm的紫外波段。紫外探测技术可用于宇宙飞船、紫外天文学、导弹尾焰探测、环境污染监视、火箭羽烟探测、火灾监测等领域中。目前常用的紫外光电探测器主要有紫外光电倍增管及51基紫外光电二极管。光电倍增管是真空器件，能探测单光子具有高灵敏度、快响应速度、低噪声等优点。但它体积庞大需要在高电压下工作，易损坏且成本高，不利于推广使用。si基紫外光电二极管需要额外昂贵的滤光片，而紫外光电探测器大多工作在恶劣的条件下需要耐高温，且其他一些应用领域，像空气质量监视、气体敏感元件及紫外光剂量测量，都要利用宽禁带光电探测器来完成。这样人们迫切需要t种性能优异的宽禁带材料以应用于这些领域。

　　gan为宽直接带隙半导体材料（室温禁带宽度3.4 ev），其物理、化学性质稳定，具有高的击穿场强，高的热导率。gan基三元合金alxga1-xn，随al组分的变化带隙在3.4～6.2cv之间连续变化，带隙变化对应的波长范围为200～365 nm，覆盖了大气臭氧层吸收光谱区（230～280 nm），是制作太阳盲区紫外光电探测器的理想材料之一[23]。因此，世界各国把gan紫外探测技术列为当今研究开发的重点课题q

　　目前出现的gan基紫外光电探测器主要有光电导型和光伏型。光电导型探测器是一种无结型器件，结构简单，内部光电子增益高。光伏型包括肖特基势垒型、p-n结型、p-l-n型和msm型等。光电导型探测器的基本结构如图1所示，其增益g定义为在两端欧姆接触区收集的载流子速率和光生载流子产生率之间的比值，对于n型吸收区材料，其g为^[24]

　　式中，tp为空穴寿命，ii，和lit为电子和空穴迁移率，y为偏压大小，j为吸收区长度。由此可见，通过适当调整各个参数可得到高增益光电导探测器。

　　图1 光电导型探测器

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