开关电容电路由受时钟脉冲信号控制的模拟开关、电容器和运算放大电路三部分组成。这种电路的特性与电容器的精度无关，而仅与各电容器电容量之比的准确性有关。在集成电路中，可以通过均匀地控制硅片上氧化层的介电常数及其厚度，使电容量之比主要取决于各个电容电极的面积，从而获得准确性很高的电容比。自20世纪80年代以来，开关电容电路广泛地应用于滤波器、振荡器、平衡调制器和自适应均衡器等各种模拟信号处理电路之中。由于开关电容电路应用mos工艺，故尺寸小、功耗低，工艺过程较简单，且易于制成大规模集成电路。

　　图1 开关电容单元

　　图1所示为开关电容单元电路，两相时钟脉冲φ1和φ2互补，即φ1为高电平时φ2为高电平，低电平，φ1为低电平时φ2为高电平，它们分别控制电子开关s1和s2，因此两个开关不可能同时闭合和断开。当s1闭合时，s2必然断开，u1对电容c充电，充电电荷q1＝cu1；而s1断开，s2必然闭合，电容c放电，放电电荷q2=cu2。设开关的周期为t，节点从左到右传输的总电荷为

　　若c＝1pf，f=100khz，则等效电阻r等于10mω。利用mos工艺，电容只需硅片面积0.01 2m，所占面积小，所以解决了集成运放不能直接制作大电阻的问题。

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