GaAsMMIC控制电路由于体积小、重量轻、开关速度快、抗辐射、可靠性高、几乎无功耗等显著优点在许多电子系统中获得广泛应用。众所周知，在现代先进的移动通信等系统（如空间分集智能天线和相控阵系统）中，均需进行幅度和相位的调整，一般系统均要求相位调整时，幅度变化越小越好。而幅度调整时，相位变化越小越好。文中所提DC-50GHz超宽带的GaAsMMIC压控电调衰减器除了具有大动态衰减范围、优良的衰减随控制电压变化的线性度、优异的输入/输出驻波及多功能等特点外，低的插入相移是这种芯片的最显著的特点。因此，这种电路可以用作：a）低插入相移条件下，作为 DC50GHzMMIC可变衰减器，组成自动损耗控制组件；b）在多倍频程的矢量调制器中，在引入低插入相移时完成幅度调制和幅度调整功能；c）DC- 50GHz的高性能吸收式（或称匹配型）单刀单掷开关；d）多倍频程的脉冲幅度调制器；e）与宽带放大器级联组成宽频带、大动态、衰减量随控制电压高线性变化的AGC（自动增益控制）放大器。

2　设计

　　这种单片压控可变衰减器的设计和实现，总体考虑如下：
　　——根据电性能指标要求，选择合适的电路拓扑结构和设计合理的开关MESMET；
　　——获得DC-50GHz频率范围下开关MESFET的等效电路模型参数比例缩放方程；
　　——采用串联和并联开关MESFET两个控制端等负载设计方法，简化电路和降低功耗。

图1电原理图

图2芯片照片

　　由于这种电路工作时，控制电压是一组互补电压，分别控制串联和并联的开关MESFET。电调过程中两控制端的负载必须相同，否则压控电调时，驻波特性明显恶化。通常设计直流参数电路来平衡两控制端的负载使其相同，达到电调控制中改善驻波特性的目的。本文采用了设计时选定两控制负载相同的方法，达到改善电调控制端中驻波特性的目的。过程如下：

　　——采用成熟的