NTMS7N03R2G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:285
产品型号:ntms7n03r2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):23
最大漏极电流id(on)(a):7
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:7 a, 30 v 功率mosfet
价格/1片(套):￥4.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):23
最大漏极电流id(on)(a):7
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:7 a, 30 v 功率mosfet
价格/1片(套):￥4.00
产品型号:ntms7n03r2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):23
最大漏极电流id(on)(a):7
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:7 a, 30 v 功率mosfet
价格/1片(套):￥4.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):23
最大漏极电流id(on)(a):7
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:7 a, 30 v 功率mosfet
价格/1片(套):￥4.00
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