NTMS5P02R2G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:246
产品型号:ntms5p02r2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):33
最大漏极电流id(on)(a):5.400
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:-20 v, -5.4 a, 功率mosfet
价格/1片(套):￥3.80
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):33
最大漏极电流id(on)(a):5.400
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:-20 v, -5.4 a, 功率mosfet
价格/1片(套):￥3.80
产品型号:ntms5p02r2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):33
最大漏极电流id(on)(a):5.400
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:-20 v, -5.4 a, 功率mosfet
价格/1片(套):￥3.80
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):33
最大漏极电流id(on)(a):5.400
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:-20 v, -5.4 a, 功率mosfet
价格/1片(套):￥3.80
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