MBR20200CT的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:691
产品型号:mbr20200ct
反向重复峰值电压vrrm(max)(v):200
平均整流器前向电流io(max)(a):20
瞬间前向电压vf(max)@if(v):1.0@20a
非重复峰值浪涌电流ifsm(max)(a):150
瞬间反转电流ir(max)(ma):50@125℃
封装/温度(℃):4to220ab/-
价格/1片(套):￥7.90
反向重复峰值电压vrrm(max)(v):200
平均整流器前向电流io(max)(a):20
瞬间前向电压vf(max)@if(v):1.0@20a
非重复峰值浪涌电流ifsm(max)(a):150
瞬间反转电流ir(max)(ma):50@125℃
封装/温度(℃):4to220ab/-
价格/1片(套):￥7.90
产品型号:mbr20200ct
反向重复峰值电压vrrm(max)(v):200
平均整流器前向电流io(max)(a):20
瞬间前向电压vf(max)@if(v):1.0@20a
非重复峰值浪涌电流ifsm(max)(a):150
瞬间反转电流ir(max)(ma):50@125℃
封装/温度(℃):4to220ab/-
价格/1片(套):￥7.90
反向重复峰值电压vrrm(max)(v):200
平均整流器前向电流io(max)(a):20
瞬间前向电压vf(max)@if(v):1.0@20a
非重复峰值浪涌电流ifsm(max)(a):150
瞬间反转电流ir(max)(ma):50@125℃
封装/温度(℃):4to220ab/-
价格/1片(套):￥7.90
上一篇：MBR20200CTG的技术参数
上一篇：MBR20100CTG的技术参数
相关技术资料- 5-6集成 MPPT 算法 DC-DC 芯片产品应用概述
- 5-6PMU 芯片、AI 电源管理芯片优特点及用途分析
- 5-6单芯片高像素CIS架构3,200 万像素图像传感器
- 5-6UFS主控芯片WM7000系列应用详情
- 5-6模拟芯片与互联芯片市场布局走势及应用前景探究
- 5-6存储芯片市场布局驱动芯片与智能卡芯片产品发展趋势分析
- 5-5新一代至强处理器Clearwater
- 5-5Ti2AlSnC MAX米纤维膜光热层光热蒸发器
- 5-5Foveros Direct和 EMIB（2.5D桥接）技术详解
- 5-518A-PT工艺先进3D封装技术应用研究
- 5-5新一代超薄中长距激光雷达EMX
- 5-5激光雷达+双英伟达Thor芯片（算力1400TOPS）探究
- 相关IC型号
热门点击
- 1N4001的技术参数
- MUR3060PTG的技术参数
- MUR550APFRLG的技术参数
- MBR20200CT的技术参数
- NSR15SDW1T1的技术参数
- J112G的技术参数
- BAS21LT1G的技术参数
- MPF4393G的技术参数
- MBR2045CT的技术参数
- NGD8201NT4G的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
