NTMSD3P102R2G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:255
产品型号:ntmsd3p102r2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):85
最大漏极电流id(on)(a):3
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:增强型功率mosfet集成肖特基二极管
价格/1片(套):￥3.70
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):85
最大漏极电流id(on)(a):3
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:增强型功率mosfet集成肖特基二极管
价格/1片(套):￥3.70
产品型号:ntmsd3p102r2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):85
最大漏极电流id(on)(a):3
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:增强型功率mosfet集成肖特基二极管
价格/1片(套):￥3.70
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):85
最大漏极电流id(on)(a):3
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:增强型功率mosfet集成肖特基二极管
价格/1片(套):￥3.70
上一篇：NTP125N02R的技术参数
上一篇：NTMS7N03R2G的技术参数
相关技术资料- 7-16首款高端大规模PCB设计平台UniVista Archer
- 7-16Android 和Linux OS工作原理
- 7-16TLE9879 SSC模块与传感器应用探究
- 7-16双高精度 RTD 温度传感器BW-AH-5520
- 7-1616V/12A可调节电压和频率同步降压变换器
- 7-16NOR Flash、NAND Flash发展详解
- 7-15高分子混合铝电解电容器应用探究
- 7-15高效节能4kW双向PFC电源方案解读
- 7-15离散半导体元件（晶体管、二极管等）技术参数设计
- 7-15CommonGround Human AI核心技术简
- 7-15520线车规级数字化激光雷达应用前景
- 7-15MPronto-12 (M12 Push Pull 连接器R
- 相关IC型号
热门点击
- 1N4001的技术参数
- MUR3060PTG的技术参数
- MUR550APFRLG的技术参数
- MBR20200CT的技术参数
- NSR15SDW1T1的技术参数
- J112G的技术参数
- BAS21LT1G的技术参数
- NGD8201NT4G的技术参数
- MPF4393G的技术参数
- MBR2045CT的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
