硅-直接键合技术在功率器件上的应用
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:427
介质隔离
介质隔离（dielectric isolation, di）广泛应用于模拟集成电路、高压和大功率器件。传统的介质隔离技术的是建立在多晶硅的厚淀积的基础上，首先，在厚的单晶衬底上腐蚀出“v”型槽，热氧化使硅片和槽的表面生成一层氧化层；其次，在硅片的氧化层上面淀积多晶硅；最后，减薄单晶硅片到“v”型槽，形成了一个个孤立的硅岛，如图1.22所示。由于这种基于多晶硅的介质隔离技术需要淀积很厚（几百µm
介质隔离
介质隔离（dielectric isolation, di）广泛应用于模拟集成电路、高压和大功率器件。传统的介质隔离技术的是建立在多晶硅的厚淀积的基础上，首先，在厚的单晶衬底上腐蚀出“v”型槽，热氧化使硅片和槽的表面生成一层氧化层；其次，在硅片的氧化层上面淀积多晶硅；最后，减薄单晶硅片到“v”型槽，形成了一个个孤立的硅岛，如图1.22所示。由于这种基于多晶硅的介质隔离技术需要淀积很厚（几百µm上一篇：SOI材料和功率器件衬底
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